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MOSFET的VDS-sat 一般0.2-4V。迟裂灶（码扮同样的管子ID电流越大VDSsat越大，同样的管子驱动电压越高VDSsat越小源答）
场效应管DS可以看成一个开关，GS就是控制DS导通与知孙关闭的，你的电路中GS端需要一个泄放电阻，D与电源间樱宴需要加一个负载电阻脊猛银。
在保证Vgs和Ids不变的情况下，温度升高会引起Vds变凳毁大。这是因为温度升高导致晶格振动枣者备加剧，载流子迁移率下降，想要获得同样大的电流必须增大Vds。这忽略了Vth随温度升高而减小的量和载流子数量的增加嫌含。
BVdss是源漏
击穿电压
，使用的时候注意不要超过这个
电压
。在选购的时候需要注意的是友旅烂，通常BVdss越大，
沟道
的
电阻
也大，好漏所以不要选远远超过你要求的，不然你镇手的
功耗
会浪费掉。Vds就是普通的源漏电压，通常用画在Ids-Vds图上。
就N沟道型早咐袭的场效应管来说明，S极是输入和输出的公共端
G极为低电平时场效应管陆兄的D极和S极是不导通的，电源电压通过负载把电源电压加在D极上
G极为高电平时场效应管的D极和S极是导通的，电源电压加简谈到负载上，这时D极上的电压很低绝大部分电源电压都加到负载上
所以：MOS管VDS和输入脉冲VGS波形是相反的
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