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multisim 三极管设置方法:要使三极管工作在放大状态,必须设置好静态工作点。静态工作点一般选在适中的IC,选小了容易出现小信号失真,选大了会出现饱和失真。因此,选在1/2ICM左右比较合适。
直接双击三极管,在value栏下方Edit Model,BF项23083数值改为70就行。点击左下方chang Part Model。
multisim元器件的查找放置 电阻 basic-resistor 选择1K 2个。LED : diode-led 选择红色 1个。PNP: Trans-BJT_PNP 随便选择一个 这里选择一个2N2904。开关:basic-switch-spdt 选择一个。
当然从测试参数可以得到SPICE参数,这叫参数抽取。你给的这几个参数其实远远不够,这不是一个三极管的参数。如果一定要设置的话,在SPICE参数中BF基本就是电流放大倍数。双击元件打开特性窗口,打击edit model,修改。
1、multisim 三极管设置方法:要使三极管工作在放大状态,必须设置好静态工作点。静态工作点一般选在适中的IC,选小了容易出现小信号失真,选大了会出现饱和失真。因此,选在1/2ICM左右比较合适。
2、multisim元器件的查找放置 电阻 basic-resistor 选择1K 2个。LED : diode-led 选择红色 1个。PNP: Trans-BJT_PNP 随便选择一个 这里选择一个2N2904。开关:basic-switch-spdt 选择一个。
3、如果一定要设置的话,在SPICE参数中BF基本就是电流放大倍数。双击元件打开特性窗口,打击edit model,修改。
4、打开multisim的元件栏,随便点击一个三极管bfp136w,点击view model选项查看其pspice模型。在模型界面保存文件,另存到自己需要的地方,名字为“xxx.txt”。这样就把这个三极管的模型从multisim中提出来了。
5、“三极管β值离散很大。为表达三极管β值离散很大的现实,Multisim平台上的有型号真三极管β值及虚拟三极管β值均可以修改。
1、是NPN型三极管,8550是PNP型三极管。可以使用该软件里面的2N5551和2N5401来代替上述管子。它们引脚排列及封装完全一样,参数也比较接近。
2、S8550是小功率PNP型三极管,如果你是用在单片机什么上面的话,我建议你用2N3906代替,这个也是PNP管,而且性能比8550更好(特别是频率上,当然驱动个外接电路,蜂鸣器什么的,也没问题)。
3、、8050在multisim中分别可用2N5402N5551代替,13001看参数应是一个耐高压的达林顿管,如果你仿真的电压不高,可以用2SC2873试试,它的Vceo=50V,hFE与13001相近。
4、14用2N2222A代替,8050用2N5551 代替.三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
5、是NPN的,都可以用BC365代替。8550是PNP管,都可以用BC363代替。NI Multisim软件结合了直观的捕捉和功能强大的仿真,能够快速、轻松、高效地对电路进行设计和验证。
6、是NPN型的三极管,8550则是PNP型三极管,模电书上有介绍,一看就懂。8050可以用9013代替,8550用9012,这几种三极管都是最用的三极管,当然还有其他可以替代的,使用时要先进行计算,希望可以帮到你。
目前半导体元件包括 : 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。
半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括发光二极管、红外光源、半导体发光数字管等。1·发光二极管发光二极管的管芯也是一个PN结,并具有单向导电性。
基本的半导体器件主要有以下几种:pn结二极管,金属氧化物场效应晶体管(MOS),双极晶体管(BJT),结型场效应晶体管。pn结二极管结构:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。
③ 太阳电池。将光辐射能转换成电能的器件。1954年应用硅PN结首先研制成太阳电池。它能把阳光以高效率直接转换成电能,以低运行成本提供永久性的电力,并且没有污染,为最清洁的能源。根据其结构不同,其效率可达5%~20%。
光电器件主要有,利用半导体光敏特性工作的光电导器件,利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。这一节中简略地向大家介绍一下这些光电器件的工作原理。
半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。
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