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不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。
从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。NMOS晶体管简介：NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor。
mos防反接一般用于大电流，二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻，稳压管作用是稳定VGS电压，保护MOS。mos管DS串接在主电路中。
MOS管是一种压控型的半导体器件，可以分为P-MOS和N-MOS，其内阻很小（压降小），可利用其开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路。
第一种应用，PMOS管经典开关电路由PMOS来进行电压的选择，当V8V存在时，此时电压全部由V8V提供，将PMOS关闭，VBAT不提供电压给VSIN，而当V8V为低时，VSIN由8V供电。
如果是供电电源的话，加一个全波整流电路即可。如果是小信号的话，加一个精密全波整流（利用运放）即可。
1、MOS管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。MOS管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。
2、一般功率MOS管是有方向的，你可是测试一下，源漏可以等效成一个二极管。接反了就直通了。
3、当栅源压差大于导通电压（vth）后，场效应管就开始导通了，实际应用中，经常把源极接在gnd上，方便管子的开启关断。
二极管防倒灌指的是当二极管处于反向电压下，电流反向流入二极管的现象。这种情况会导致二极管损坏或失效。为了避免这种情况的发生，通常需要在电路中添加一个保护电路来防止反向电压对二极管造成损坏。
mos防反接一般用于大电流，二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻，稳压管作用是稳定VGS电压，保护MOS。mos管DS串接在主电路中。
：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。
1、不建议电鱼，一方面，自身人身安全系数不高。另一方面，违法。再就是，有很多圣母。告诉电压，好算电流和画图。
2、一般都是用NMOS和PMOS的互补结构构成反相器吧！别的结构好像不太稳定。
3、这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。
4、IRF540N的使用方法是：将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。三个腿从正面看分别是G、D、T。G的作用是控制极，D的作用是与散热孔铁片相连，T的作用是用来接地。
5、而必须依靠栅源电压的作用，才能行成感生沟道。转移特性可有公式：Id=Ido(Vgs/Vt-1)^2来画出。它与耗尽型的区别在于它的开启电压Vt为正值。具体的情形你还可以参考《模拟电子技术》，希望能帮到你哈。
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