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1、负载电流IL ——它直接中槐决定于MOSFET的输出能力；
2、输入—输出指基电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；
3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；
4、 MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标唯培谨。
Mosfet参数含义说明 Features:
Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V
Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
Pd: 最大耗散功率
Tj: 最大工作结温，通常为150度和175度 Tstg: 最大存储温度 Iar: 雪崩电流
Ear: 重复雪崩击穿能量
Eas: 单次脉冲雪崩击穿能量 BVdss： DS击穿电压
Idss: 饱和DS电流，uA级的电流 Igss: GS驱动电流，nA级的电流. gfs: 跨导
Qg: G总充电电量 Qgs: GS充电电量 Qgd: GD充电电量
Td(on): 导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间 Tr: 上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间 Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到游枣 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间
Tf: 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss: 输入电容，Ciss=Cgd + Cgs. Coss: 输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss: 反向传输电容，Crss=Cgc.
MOS管导通特性首枯
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻神芹拆大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。
2、还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
你的补充基本正确，但最大电流一处有错，MOS管的电流参数很多时候厂家会给出连续电流，短时间电流和峰值电埋差喊流，泛指最大电流不是很恰当，所弯野庆渗以在应用时要根据应用的实际情况，认真看具体mos管的详尽参数。
型号：ASE50N03
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）氏昌：20V
漏极电流（ID）：50A
功耗（PD）：60W
储枯运存温度（Tstg）：-55 to 150℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：5.8mΩ
二极管正向电压（VSD）：1.3V
输入电容（Ciss）：没核梁2250pF
二极管反向恢复时间（trr）：35nS
ASE50N03封装规格：
封装：TO-252-2L
总长度：10.4mm
本体长度：6.2mm
宽度：6.7mm
高度：2.38mm
脚间距：2.28mm
ASE50N03特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷：Qg=43nC（典型值）。
BVDSS=30V，I D=50A
RDS（开启）：5.8mΩ （最大值）@VG=10V
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