mos管防反（mos管防反接保护）

发布时间：2023-06-03

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1、二极管防倒灌指的是当二极管处于反向电压下，电流反向流入二极管的现象。这种情况会导致二极管损坏或失效。为了避免这种情况的发生，通常需要在电路中添加一个保护电路来防止反向电压对二极管造成损坏。

2、mos防反接一般用于大电流，二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻，稳压管作用是稳定VGS电压，保护MOS。mos管DS串接在主电路中。

3、：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。

4、串联一只肖特基二极管，利用二极管的单向导电性，可以有效防电流倒灌。

问友：交流电通过整流滤波就可以变成直流电。工作原理：利用二极管的单相导电性，当正弦交流电在正半周时，二极管导通，输出电压；当正弦交流电转为负半周时，二极管截止.无输出.这样就会交正弦交流电变为一个脉动的直流电。

这是不合理的。（比如，MOS切断电池供电，直流电源输出至负载，如果直流电源输出电压高于电池，则将通过MOS管反并二极管向电池充电。

二极管的单向导电性决定了往返变化的交流只需一个二极可变直流。但直流变交流就需要逆变，直流必须通过开关管或MOS管再配以脉冲变压器变成交变电压。所以直流变交流费劲。

控制220V交流电压不用MOS管，因为MOS管的源漏极间雪崩电压通常只有几十伏，而220V交流电压的峰值达308V，远超出MOS管的耐受能力。

可以形成的输出也就越高。MOSFET打开的时间越短，储能元件中能量约小，形成的输出也就越低。这就是MOSFET改变电压的原理。具体还得找几个电路进行分析。如果BOOST、BUCK电路，都是最基本的。

mos管防反（mos管防反接保护）

简单解释一下吧，MOS管有三个脚，两个MOS管串联，一个开一个关是截止的，一个关一个通是截止的，连个关是截止的，只有两个同时开或者同事关才是导通的。

：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。

充电回路采用双MOS串联式控制回路，使回路电压损失较使用二极管的电路降低近一半，充电采用PWM模糊控制，使充电效率大幅提高，用电时间大大增加。

较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。

mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。

两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。