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mos管替代二极管（mos管做理想二极管）

发布时间：2023-06-04
阅读量：52

本文目录一览：

buck电路主要应用在那些场合?

1、这个比较多，LT3797，3796等。一般应用在宽电压输入范围，宽输出电压范围之类的电器，例如led灯。塔吊电源，应急照明等等。这个都有方案。

2、船舶照明系统：Buck变换器可以将高电压、低电流的电源转换为低电压、高电流的电源，适用于驱动船舶照明系统中的LED灯、荧光灯等。

3、buck斩波电路 即降压型斩波电路 。输入大于输出。看资料的公式看不懂？那通俗的讲一下：上图中 上面的是基本电路结构 ，下面的是开关管导通和关断的两个状态。

4、该太阳能充电器由多晶硅太阳能电池将光能转换为电能，通过Buck变换器变换为稳定的直流输出，利用锂离子电池充当储能单元。应用AT89S52单片机设计充电电路的控制管理系统并通过调节PWM波形的占空比来控制电路输出。

5、buck电路和boost电路同属脉宽调制型开关电路。是组成DC/DC变换器的两个基本电路。buck电路开关管串联在主电路中，为降压式DC/DC变换器，见附图。boost电路的开关管并联在主电路中，为升压式DC/DC变换器，见附图。

6、buck电路不就是降压斩波电路嘛，是基本的DC-DC电路之一。用于直流到直流的降压变换。可以看一下开关电源或者电力电子，都会讲到这个电路。

mos管能否拿来当二极管,如果可以,有什么特点?

节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。

MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的，内阻低，都是毫欧级的。

MOS集成电路：采用场效应管的集成电路，可有和TTL相同的逻辑功能，代表的有4000系列，现在已经采用场效电路。具有功耗低的特点。为提高TTL电路性能，74HC系列就用场效应管技术，大大降低了功耗，并扩宽了电压范围。

快恢复二极管压降比较大比如0.7V，MOS管里寄生那个好像压降小一些。另外用MOS管代替二极管，MOS管要同步开关，就是同步整流器，你的同步信号如何得到呢。

MOS管也是二极管做成的，跟三极管一样有PNP和NPN结构。几乎所以的半导体元件都是二极管做成的，确切的说是PN节做成的。

耐压值也可以做到比较高，可以承受更大的功率。但在频率特性上面，MOS管的表现不如结型管。因此MOS管一般被用于功率电路中，包括驱动电路，电源电路，大电流开关等。而在晶体管常用的小信号放大场合，结型管用得更多一些。

理想二极管是否消耗功

无功耗。在进行物理实验中理想状态下的二极管是不耗电无功耗的。二极管在电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。

二极管在工作时会消耗电能。因为二极管在导通时，并不能完全看成一根导线，它的两极之间会有电压降，硅管一般在0.5V~1V，这个电压乘以流过二极管的电流，就是二极管耗能的功率。

理想二极管的正向导通电压为零，不消耗功率。灯泡a 半个周期电压是 U2 ，半个周期电压是 0.5U2；灯泡b 半个周期电压是 0.5U2 ，半个周期电压是零。P = U^2/R 是全周期的公式，半周期要除以2 。

理想二极管就是正向压降为0，反向漏电流为0的二极管，这种二极管只存在与理论研究中，只是一种假设，如为没有压降，没有损耗，反向不会击穿等理想状态，而实际二极管是达不到的。

不会死二极管的消耗功率，是负载的消耗功率是原来的交流电源功率的一半，二极管单向导通，负电压没有了，只有正电压了，所以，功率只有一半。

理想二极管：就是正向压降为0，反向漏电流为0的二极管，这种二极管只存在于理论研究中；理想二极管是一种假设，根据题目要求假设，如为没有压降，没有损耗，反向不会击穿等理想状态。而实际二极管是达不到的。

MOS管子的寄生二极管相当于普通二极管还是快恢复二极管

1、另外我个人认为，这个寄生二极管相当于一个快恢复二极管，毕竟MOS的工作频率较高，如果频率低，则没必要考虑寄生二极管的特性，频率很高的时候，正向不能正常工作也就没必要考虑反向特性。

2、由于MOS管工作频率比较高，所以它的寄生二极管工作频率也要高，就是说它的反向恢复时间很短（Trr)，所以也就相当于一个快恢复二极管了。

3、可以，一般寄生二极管可通过的电流为MOSFET本身可以通过的电流。只不过他的压降会大一些，反向恢复时间会长一些，如果频率不高的话，还是没有问题的。

4、MOSFET的反并二极管，是一个普通二极管！且只能当作普通二极管使用。boost电路，一般要选用开关二极管，快恢复型二极管。BOOST电路，使用普通二极管，输入电流肯定要上升一倍多，这是因为普通二极管，反向恢复速度很慢的原因。

mos管阀值电压不同可代换

NPN型和PNP型三极管之间不能代换，硅管和锗管之间不能代换。

MOS管的阈值电压等于backgate和source接在一起时形成channel需要的gate对source偏置电压。如果gate对source偏置电压小于阈值电压，就没有channel。

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

对于以多晶硅为栅极的器件，器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型以及掺杂浓度而发生变化。可见，在正常条件下，很容易得到增强型PMOS管。为了制得增强型NMOS管，则需注意减少Qss、Qox，增加QB。

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