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针对如上MOS发热原因：解决思路就出来了，更换内阻较小的MOS管，或者选择散热效果好的MOS管封装形式。改善MOS管散热条件，增加散热片等。
对抗性方法：强制散热，增大散热片面积，将MOS管与散热片紧贴（加硅胶），必要时采用强制风冷（风扇吹）等等。
要给南北桥和AGP进行供电。本身非常热也是正常的。想解决过热的问题可以考虑在5V电压端加一些高频和低频滤波电容更换开关频率高的MOS管。这是解决管子自身非常热的办法。你提到的5V电压低为什么北桥发热量非常大。
加大散热器面积；使用热管将热量导出密闭容器外进行散热；使用水冷散热器；使用石墨散热器；减少MOS管通过的电流或开关频率；MOS管余量加大。
用导线引出外置显然不现实，而主板供电部分结构紧凑，空间狭小，如果将并联的MOS置于主板MOS之上或旁边无疑会阻碍散热，形成热量堆积，结果只能适得其反。所以我还是建议你通过DIY散热设计来解决MOS高温的问题吧。
当然也是发现MOS管工作正常与否的最直接反映。
1、同样处于饱和区的时候，mos管的沟道电阻为正温度系数，温度越高电阻越大，所以MOS管电流随温度下降。
2、当电流越大时，Vf也越大，所以你看某一温度对应的，横轴电流越大，对应的纵轴电压越大（二极管的VF是随着Io增加而变大）另一方面，结温越高，二极管的VF是越低。
3、如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。
4、的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
5、温度可达到100℃左右，一般高负载下不超过110℃均视为正常范畴。如有必要，可适当调高风扇转速。硬盘：一般情况下30-60℃左右，硬盘经常是机箱里温度最低或第二低的硬件。如果超过70℃则可以考虑加装机箱风扇。
6、导电原理不同，半导体在高温状态下获得的载流子更多，电阻变小，所以导电性能好。超导原理是在低温情况下让粒子的热运动变得很缓慢，对导电粒子的阻碍性减小，所以电阻变小。
1、我单位用的是金坛市精工仪器公司生产水浴恒温振荡器，温控精度高，采用的高精度的控速度仪表。
2、爱普生晶振 介绍：排名在晶振行业的老大，爱普生晶振当之无愧，目前在晶振市场上占领百分之二十几的份额。EPSON爱普生公司成立于1942年5月，总部位于日本长野县诹访市。
3、温补晶体振荡器TCXO(Temperature Compensate Xtal (crystal) Oscillator)，是利用温度传感电路，来拟合石英晶体温度变化的曲线，使之频率在一定温度范围输出较为稳定。
4、有。俄罗斯晶体振荡器技术中国有，远东通信集石英晶体元器件的研发、生产、销售为一体，是国内从事压电行业最早的单位之一，所生产的恒温晶体振荡器在国内通信基站应用领域市场占有率第一。
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