mos复合管（复合管模电）

发布时间：2023-06-04

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h20t120是1200V/20A/178W、内含阻尼二极的IGBT管，面对有字符的一面，从左到右依次为栅极G、集电极C、发射极E。它可以用GT40N150D、GT40T301等直接代用。

mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换，因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件。

是场效应管，但是普通的场效应是mos管，它是igbt管，普通场效应不能代替，必须用igbt。

可以用06N03 09N03 60N03 90N03代换。

电磁炉用的是IGBT管，导通压降比较大，不适合代换MOS管的。当然这只是针对开关电路的情况，如果是模拟电路中倒是可以代换的。

MOS管是电压控制型半导体器件，输入阻抗高，功耗低。而晶体管是电流控制型半导体器件器件，输入阻抗低，对前级电路的影响较大。两者都可以做开关使用，如果设计电路最好用MOS管，如果维修的话要按照原来的型号更换。

mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。

IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。

区别很大。最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电压就要关断，而可控硅需要负载电流为0，然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或交流电中。

mos复合管（复合管模电）

电力场效应晶体管管MOSFET，目前能生产出的电压在1200V 电流在300A。它有点在于输入阻抗高，属电压型控制器件，可以直接与数字逻辑电路连接，且驱动电路简单，功耗小。开关速度快，约是GTR的10倍，而且开关功耗小。

区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。

电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS都属于受控放大的电子器件。工作原理各不相同：电子管，由发热灯丝发射电子，靠高压吸引电子、栅极控制发射电子的能力，属电压控制电流型器件。

场效应管与晶体管的区别：（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电。而晶体管的两种载流子均参与到点。

麻药 1混合管和调拌头。注射管和注射头一起使用.主要用于口腔材料的口腔内注射。

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单双管混合式采暖系统就是将采暖立管的散热器沿建筑高度方向划分为若干个采暖单元，每个采暖单元包括 2层～ 3层，在每个采暖单元内散热器按双管形式连接，各采暖单元之间采用单管连接，这就组成了单双管混合式系统。

管道混合器的构造原理：管道混合器一般由管道分别与喷嘴、涡流室、多孔板或异形板等促进混合的原件组成，一般三节管道连用，作为一个单元（也可根据混合介质的性能增加节数）。

可以这样复合，因为场效应管是电压控制电流型器件，其输出电流不能直接输入下一个场效应管的输入；但三极管是电流控制电流型器件，则可以用场效应管的输出电流控制三极管输出电流，得到较高的放大系数。

不能。三极管发射极无电流，场效应管是电压放大型器件，工作于开关状态，所以不能组成复合管。

图中BJT的发射极与MOSFET的栅极连接，Ib没有通路（即Ib=0），所以不能构成复合管；(e)图中两只JFET（结型场效应管）左管的源极与右管的栅极相接连接，左管的漏极电流Id1没有通路因而不能工作。

场效应管的电流是源极与漏极之间的电流，与栅极取不取电流无关。

不是。复合管是两个三极管直接连接形成“复合”的三极管，对外只有公共的三条腿。

IGBT是一种复合管，由一只SHM（双极功率高速开关管）和一只MOS（绝缘栅型场效应管）复合而成，连接方式类似于达林顿管。其中SHM为电流控制型晶体管，MOS为电压控制型晶体管，所以称之为全控。