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下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。
P沟道MOS管开关电路图：MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。
P沟道MOS管做开关用，通断5V3A的电路，接通时降压多少阻抗多大跟具体型号有关，且差别很大。例如：AO3401，通断5V3A的电路，接通时降压约0.185V，阻抗65毫欧姆。
N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。
串联二极试试，二极管压降0.5-0.7，G极再加个下拉电阻。
FET管的电流应大于集成运放的正常工作电流。（2）输入保护。集成运放的输入差模电压过高或者输入共模电压过高（超出该集成运放的极限参数范围），集成运放也会损坏。（3）输出保护。
MOS管 型号：AO3401 体积：SOT-23 打字：A19T 分别为大电流跟小电流两种体积，虽然都是S-T-23体积，但是有0.01毫米的大小差距的。
和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。
|VGS||VTP (PMOS)|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。
在图一，是个Nmos，只能S极接地。因为通过Vgs的电压来开关mos。S极接地则S极的电势是0V。只需控制G极，即Vin1来控制这个Nmos。Vin1是高电平，则mos打开，Vin1是低电平，则mos关断。
下图是用MOS管控制电源开关，不过是低电平时关掉电源，高电平时打开电源：要实现题主的逻辑，只要在Q2前加一级反向电路电路就可以了。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
N沟道的MOS管子，G电压越高SD导通越好，电流越大；；P沟道的，G电压越低导通越好，电流越大。P沟道S接高电位D接低电位，N沟道相反。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
在图一，是个Nmos，只能S极接地。因为通过Vgs的电压来开关mos。S极接地则S极的电势是0V。只需控制G极，即Vin1来控制这个Nmos。Vin1是高电平，则mos打开，Vin1是低电平，则mos关断。
1、下图是用MOS管控制电源开关，不过是低电平时关掉电源，高电平时打开电源：要实现题主的逻辑，只要在Q2前加一级反向电路电路就可以了。
2、用G极的控制电压来控制MOS管的导通，饱和，截止等状态。使得D极的输入电压，在S极的输出电压上体现出不同的状态。
3、是通过精准控制栅极电压来实现的。有空的话，百度下，多多主动去了解相关知识，没有坏处的。
4、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
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