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这个电路一般是5v和锂电池电源之间切换用的。如果用二极管隔开两个电源，压降太大。所御册春以就用mos管代替二极管。但是mos管有一个问镇耐题，就是内部集成了一个续流二极管，你分析一下电路就知道了，如果只用一个pmos的话，5v的电压会经过mos管直接流姿告进锂电池中。解决的问题的办法只能是两个pmos管反相串联，这样就阻断了5v电压。不知道我说明白没有。
那个是8205A的寄生体山穗二极管，mos管的原理决定了从NMOS管的衬底B到漏极D之间有一个反向偏置的二极管，由于分立器件的mos管，源端S和衬底B内部短接，因此在原理图上看到的就是从S到D的一个二极管，在锂电池保护电路中，必须正确连接S和D的方向，用来控制充电回路的mos管，应该使寄生体二极管与充电电流方向相反，如果接反的话，本来需要关闭这个mos管，但是由于猜唯并体二极管的存在，导致充电电流无法截止。8205A的优点在于内部集成了两颗完全相同的nmos管，对于锂电池保护电路来说非常方便，也可以用其他的mos管代替，需穗迹要注意mos管的G端输入电压范围，耐压，电流能力，功率耗散能力，等等，根据锂电池规格选择合适的mos管。
、PMOS管作用作防反接清悔：将PMOS管的S极和D极串联在电源慎答正极电路中。MOS管导通后，S极和D极之间的电阻为毫欧级别，一般为几百毫欧。所以，MOS管上的压降不算大，因此，它消耗的功率也就比较小。相比较而言，PMOS管的价格要贵点。有些批量的产品，每年的产量都是KK级别的，需要考虑成本，可以选择二极管或答孝正NMOS管
1.你图中这个电路在工作电压较高时比较常见。
下面晶体管采用正常驱动。上面晶体管可以理解为栅极加浮动高压的源极驱动方式。
这种源极驱动方式在某些低压应用也会偶尔见到。我记得仙童最近出的几款芯片有类似应用。
这种电路没有均压功能，但由于mosfet不会出现二次击穿，故不会影响可靠性。
上管的浮动驱动高压必须低于下管的VDS耐压值，否则下管电应力会超标。
虽然原理上讲可以使用更多的mosfet串接起来达到更高的工作电压，但实际产品通常只有两只串联的。
两只mosfet尽量选取特性一致的，且乱让单只耐压大渣姿于总VDS的如陪绝一半，悬浮高压略低于VDS的一半。
这种电路的优点是驱动电路简单，占空比可以从0~100%。
2.用隔离变压器驱动的电路我见过实物有6只mosfet串起来工作的。
优点当然就是可以工作在更高的电压。缺点是驱动变压器设计和绕制会有点麻烦。
而且占空比不能为0或100%。
即便占空比不是0和100%也要考虑因占空比变化引起的正负峰值的偏移。
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