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HF/VHF 功率MOS 晶体管BLF117，耗散功率200W，工作频率可高达100MHz.
常用进口高频中大功率晶体管型号2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、BD136等型号。
常用国产高手大频中大功率晶体管型旅型号3DG41A～3DG41G、3DG83A～3DG83E、3DA87A～3DA87E、3DA88A～3DA88E、3DA93A～3DA93D、3DA151A～3DG151D、3DA1～3DA5、3DA100～3DA108、3DA14A～3DA14D、3DA30A～3DA30D、3DG152A～3DG152J、3CA1～3CA9。毕租竖
1、电压不同
高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。
2、反应速度不同
耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。
mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即圆肆使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
扩展资料：
MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。
然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道（NPN型）增强型MOS管。
做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的核升使用，当然就改腔老是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
参考资料来源：百度百科—MOS管
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。
增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。
NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
常用料号；TO-220 TO-252 TO-3
封装MOS管 IRF7805Z ，
N型 SI4336
N型 IRF7831
N型 IRF7832
N型 IRF8721
N型 IRF7805
N型 IRF7805Q
N型 IRF7413
N型 TPC8003
N型 IRF7811
N型 SI4420
N型 SI4812
N型 IRF7313
P型 SI4405
P型 STM4439A 。。。。。。 等等。
作用
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。侍脊
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放老册渗大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
常见的场效应管
MOS场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一姿瞎起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
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