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1、控制极电阻不是一个恒定值，尤其大功率的更是如此，不能仅以阻值确定好坏。
2、用短接线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
3、单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
4、可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
5、触发部分的设计要看可控端的电压和电流。举个例子：如果可控硅两端的电压最大值是311V，而它的控制电流要在15mA以下，你可以大概选个中间值，就6mA吧。那么用311V/50K=22mA。
1、WESTCODE公司出的N1467NS200型号晶闸管能过平均电流1467A，导通电阻为0.272毫欧。N3012ZC200过平均电流3012A，导通电阻为0.16毫欧。N4085过平均电流4085A，0.07毫欧。
2、可控硅内阻在20欧左右。根据查询相关信息显示，因为如果电阻过大，出发电流就小，使得触发导通不成功，过小触发时易烧坏，20欧合适。
3、可控硅导通电压约2v，饱和导通电流不确定，所以无法计算。1000A是最大饱和导通电流，就是说，此时电阻是2/1000Ω=0.002Ω 当然实际饱和导通电流介于最小和最大之间，所以就要看它正常工作时的设计电流了。
4、安培以上的叫大功率可控硅，一般把5安培以下的叫小功率可控硅大功率可控硅测量法分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。
5、欧姆。根据查询晶闸管门极厂家官网显示，晶闸管门极和阴极电阻是5000欧姆，阴极电阻的值与该电子元件的精度相关。
6、不是这样计算的。600v只是可控硅可以承受的最大反向电压。在其通过20A电流时，可控硅两端的电压降是没有600v的，可能只有比如0v。所以，可控硅的导通电阻是非常小的。
1、兆欧＝1000000欧姆。也就是说每1伏电压1000欧姆电阻以上为绝缘合格标准。对于低压电气装置的交接试验，常温下电动机、配电设备和配电线路的绝缘电阻不应低于0.5MΩ（对于运行中的设备和线路，绝缘电阻不应低于1MΩ／kV)。
2、正向测量，一般正向漏电流小于1MA，那测出来应该大于800k。反向漏电流更小些测出的电阻更大。
3、下级负荷必须断开后测量相间绝缘才有意义，上图这样测只能说是测量的相间直流电阻。
4、AA2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开AG极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
5、小中型电机相间绝缘阻值不小于0.5兆欧，千伏级电机相间绝缘阻值不少于1兆欧。对地绝缘阻值为0。
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