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ASEMI的MOS管24N50参数：
型号：24N50
漏源电压（VDSS）：500V
连续漏极电流（ID）：24A
栅源电压（VGSS）：±30V
功耗（PD）：290W
漏源漏电流（IDSS）：50uA
栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.24Ω
输出桥游电容（COSS）：670pF
最大脉冲正向电流（ISM）：96A
漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V
反向恢复时间（trr）：250nS
24N50封装尺寸：
封装：TO-247
总长度：41.55mm
本体长度早消孙：21.3mm
引脚长度：20.25mm
宽陆链度：16.25mm
高度：5.05mm
脚间距：5.7mm
24N50特征：
RDS(ON)=0.24Ω @ VGS=10V
高开关速度
100%雪崩测试
mos管用作放大电路，漏源间电压高，在线性放大状态，其功率对应肯定会增大。
如果是功率输出级，散热片要考虑足够大和有足够的散热空间。
因闹皮此在mos管耐压足够的情况下，主要就是散热问题，由于电压高导致温度缓弯春高，是易坏扰耐的。
1 漏源电流不受漏极-源极电压影响。
2 这是或卜因为在MOS管饱和区，漏极-源极电压已经达到了最小值，即门源电压减去阈值电压，此时漏源电流已经被限制在饱和电流的最大值，不会再随着漏极-源极电压的变化而发生改变。
3 在MOS管的饱和区，漏源电流不受漏极-源极电压的影响，但是会受到温度和电碧宏压漂移等因素的影响，需要进行相关的校准悔团册和调整。
可以。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管笑宽，英文缩写为MOSFET。mos管的栅源电压和漏源电压能同碰核亮时测量。在金属栅极氏敬与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。
你好春弯此！NTMFS4C029NT1G [N沟道晶体管扒迅] 5-DFN封装，表面闹厅贴装型。
漏源电压（Vdss）：30 V
驱动电压：4.5V，10V
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