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mos管寄生二极管（mos管寄生二极管参数）

发布时间：2023-06-07
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请问:MOS管截止时,电流还会不会从体二极管流过?

1、MOS管截止时，电流会从体二极管流过，但是这个电流的值已经非常小了，可以忽略不计。体二极管，又叫寄生二极管，它是由生产工艺造成的，大功率 MOS 管漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。

2、MOS管导通后，反向时主要是流过沟道，因为体二极管本身有比较大的二极管压降，约为0.7V，沟道相当于把体二极管给短路了。

3、事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

4、这主看你这漏电流的大小标准了，标准不同时就可有或没有。因它多多少少都有一点。前一个比成开关是理想化的，后一个有是实际中的。

5、可以，只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可，是MOSFET导通，不通过体二极管，同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。

二极管有哪些分类？

1、二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

2、二极管按用途分可以分为普通二极管和特殊二极管。普通二极管包括检波二极管、整流二极管、开关二极管和稳压二极管；特殊工极管包括变容二极管、光电二极管和发光二极管。

3、二极管的种类较多， 按功能可以分为整流二极管、稳压二极管、发光二股管、光敏二极管、检波二极管、变容二极管、双向触发二极管等。

4、变容二极管、频率倍增用二极管、PIN型二极管、雪崩二极管、江崎二极管、快速关断二极管、阻尼二极管、瞬变电压抑制二极管、双基极二极管等。除了根据用途分类还有根据构造分类，这些有点接触型、面接触型等；还可以根据特性分类。

5、二极管的种类有四大类和20种小类分别为 按材料分类：按材料分类有两种，第一种是（锗二极管）；第二种是（硅二极管）。

mos寄生二极管是肖特基吗

二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。

首先，这个电路有错误，二极管不是并联在MOS管上，应该并联在电机两端，1n4007就可以。mos管本身就有寄生二极管，和D3方向一致，在MOS管内部。

mos管是需要控制信号的。不能简单的串在电路中。而且MOS导通后是双向导电的，防止反充电还是用二极管吧，肖特基也就0.3V左右的压降。

肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。

特点不同：肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。

圈出那个元件是mos管吗?为什么上面还有个二极管一样的东西?

模拟电路书里讲的就是小功率MOS管的结构，所以没有这个二极管。

内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属（M）-氧化物（O）-半导体（S）场效应管，一般称为绝缘栅极场效应管。

mos管旁边并以二极管用于，防止mos管反向击穿。大部分二极管所具备的电流方向性通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

mos管旁边为什么要并以二极管

这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

由于MOS管工作频率比较高，所以它的寄生二极管工作频率也要高，就是说它的反向恢复时间很短（Trr)，所以也就相当于一个快恢复二极管了。

MOS管有电容效应，栅极串电阻是调节RC常数，控制管的开通延时，电阻上并联二极管，是为了及时让栅极的电荷释放掉，是管子正常关闭，这种二极管要用快恢复二极管。

一般是起保护作用，并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。

mos管gs间没有寄生二极管吗?表笔测量gs电阻怎么无穷大?

1、主要有两种类型：结型场效应管（JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

2、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

3、该二极管的产生与生产工艺有关，并不是所有的MOS内部都有该二极管。一般大功率管有该二极管，小功率管和集成电路中的mos管没有该二极管。如果漏极从衬底硅片底部引出的，则会有该二极管，是漏极与衬底之间形成了PN结造成的。

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