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代稿锋理应该有的。
IPW60R017C7英飞凌MOS管参数：
型号：IPW60R017C7
连续漏极电流（ID）：109A
功耗（Ptot）：446W
贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-55 ~ 150℃
漏源击并简穿电压V(BR)DSS：600V
栅极阈值电压V(GS)th：4V
零栅极电压漏极电流（IDSS）：2uA
栅源漏电流（IGSS）：100nA
漏源导通电阻RDS(on)：0.017Ω
输入电容（Ciss）：9890pF
输出电容（Coss）：200pF
二极管正向电压（VSD）：0.9V
反向恢复时间绝敬裤（trr）：630ns
IPW60R017C7特征：
适用于硬开关和软开关（PFC和高性能LLC）
MOSFET dv/dt耐用性提高到120V/ns
由于同类最佳FOM RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg提高了效率
符合JEDEC (J-STD20)的工业级应用要求和JESD22)
IPW60R017C7用于高功率/性能的PFC级和PWM级（TTF、LLC）SMPS，例如计算、服务器、电信、UPS 和太阳能。
英飞凌功率MOS IGBT电桥驱动器 IR21271STRPBF 封装SOP8
IR21271STRPBF 是高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术加固的整体结构。逻辑输入为兼容标准CMOS或LSTTL输出，降至3.3 v。保护电路检测驱动功率晶体管中的过电流，并终止栅极驱动电压。提供一个漏极开路故障信号，表明已经发蔽早晌生过电流停机。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计用于最小交叉传导。浮动通道可用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT的高压侧或低压侧工作电宏锋压高达600伏的侧面配置。
特性：
•设计用于引导操作的浮动通道完全运行至+600V耐受负瞬态电压dV/dt
•应用-特定睁早的闸门驱动范围：
电机驱动：12至20V（IR2127/IR2128）
汽车：9至20V（IR21271）
•欠压锁定
•3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
•故障导线表示已发生停机
•输出与输入同相（IR2127/IR21271）
•输出与输入不同步（IR2128）
•无铅包装
有没有用软开关技术？
如果是硬开关，可用以下方法：
1.适当降低频率
2.优化驱动电路，猛弯驱动迟或信号幅值提高到10～12V，适当减小驱枝旦闷动电阻
3.选用开关速度高的管子(推荐英飞凌COOLMOS)
4.增加散热器面积，提高风扇转速
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