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触发脉冲太宽了，一般宽度在100~200μs的窄袭州脉冲就够了。你这样的情况消耗触发电源能量不说，这样的脉高禅燃冲维持到零点很容易使下半周误触发导通使可控硅失控，用正脉冲在正负半周戚虚触发是可以的，但触发功率要足够大。
自己画个波形图不就什么都明白了吗！
全波导通—可控硅触发以后，整个波形就是正弦波，在示波器上就是一条正弦曲线。
半波导通—分两种情况卖散拆，一种是正半周导通，即在横轴的上方导通，示波器上显示都是往上凸的曲线，两曲线之间差180度相位
另一种是负半周导通，即在横轴的下方导通，示波掘谨器上显示都是往下凸的曲线，两曲中枣线之间差180度相位。
其原理和电源电路里的二极管全波整流和半波整流是一样的
可控硅的4种触发方式：
1、强电触发: 采用MOC3061、MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。 采用触发二极管（DB3）电路与这种结构相似。
2、变压器隔离触发: 这是工业上最常用结构，优点是强弱电隔离触发波形好，缺点是长脉冲触发时变压器体积太大，成本高电路复杂。元器件隐肢逗工作在100V脉冲环境，可靠性一般。
3、隔离电源直流触发: 图片上的这种触发结构，缺点是功耗较大，发热量大。优点是强弱隔离触发电流大，低频长脉冲、高频脉冲串等都适用，电路简单成本低，元器件工作在20V脉冲环境。可靠性好。这种机构饥型的移相触发器经半年多实际使用(10kw变压器负载，镀铝机蒸发舟加热)，极少出现烧保险丝和烧可控硅现象，原来是采用变压器触发结构，经常烧保险丝，可控硅也有损坏。
4、其过零触发控制方式由于对电网无污染 ,在许多调功设灶卖备中都采用这种触发方式。可控硅作为大功率电子器件在工程中得到广泛应用 ,
可控硅是电流控制器件，不管控制信号是什么波形只要控制极与阴哪租极间的电流强度达到触发值便会导通。（可控硅PNPN四层结构和工作原理不赘述）IGBT是电压控制器件，但它不仿逗象李大兆可控硅那样具有触发器的性质，而是属于放大器件。在开关电路中使用方波驱动IGBT管是为了减少过渡损耗。
可控硅实际上就是一只开关，对直流来说，触发后使电路的由断变通，电流由无到有，输出电压要减掉可控硅导通的1-2V电压降，但要关断电流，就不是触发能够实现的，需要流过可控硅的直流电流减小到小于维持电流野竖才会关断。
对220V的交流，在滑脊宽正半周（阳极电压高于阴极电压的信亮半周），可控硅触发导通后也就相当于开关闭合一样，波形是不变的，输出最大值也不变（不过要减掉可控硅导通的1-2V电压降），当电压波形过零的时候（可控硅导通电流减小到小于维持电流的时候），可控硅就自动关断了，在负半周，（阳极电压低于阴极电压的半周），可控硅不能触发导通，直到了另一个正半周，经触发后再导通。
从测量输出电压值来说：交流电压是按有效值的，直流是按平均值的，平均值是有效值的0.9倍，因此即使是全波整流，输出也低于220V，当然是没有滤波的情况。
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