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对。在开关电源中，开关管断频率很高，这些器件不需另设辅助开关去强迫关断，故称为全控型电子器件，是对的。其丛空皮中的电力场效应晶亏灶体管（电力MOSFET）是开关频率最渗差高的器件。
不可控器件，即电力二极管 ，与半控、全控型电力电子器件的主要区别如下：
一、原理不同
1、电力二极管：为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
2、全团启控型器件：通过控制信号过可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。
3、半控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。
二、特点不同
1、电力二极管：单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
2、全控悄或液型器件：输入阻抗高，驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工作频率高；热稳定性优于GTR。
3、半控型器件：其伏安特性类似二极管的反向特性；晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。
三、分类不同
1、电力二极管：有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
2、全控型器件：门极可关断晶启物闸管（Gate-Turn-Off Thyristor—GTO），电力场效应晶体管（Power MOSFET），绝缘栅双极晶体管。
3、半控型器件：主要是晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。
参考资料来源：
百度百科-全控型器件
百度百科-半控型器件
百度百科-电力二极管
全控型半导体开关包括MOSFET，JFET，IGBT，BJT等类型枣纤乱。MOSFET的特点是高性凳档能，高分散竖族性，低功耗，低反噪声，低损耗，低压降，便于扩展等优点，适用于控制高电压功率电路。JFET具有低压降，低漏电，高二极管效应系数等优点，适用于低压大电流控制电路。IGBT具有低损耗，低负载静态漏电，低噪声，低驱动电流，高功率密度等优点，适用于高压电源控制系统。BJT具有高二极管效应系数，低损耗，低压降，低噪声，广泛的功率范围，优良的温度稳定性等优点，适用于低压电源控制系统。此外，还有其他类型的全控型半导体开关，例如晶闸管，MCT，SCR，双向可控硅等，它们在特定的应用场合具有独特的优势。
很快。
全控型器件又称为自关断器件，因功率大具有开关速度快，凳模腔峰值电流大，容易驱动，安全工作区宽，耐量高等优点。
全控器件是指通过控制信号既可以控制码渗其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。这类器件很多，门极可关断晶闸管枣衫，电力场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管均属于此类。
不可控：二极管
半控：晶闸管
全控：IGBT、IGCT、MOSFET、GTO
关键词：全控性开关器件 快恢复二极管 开关器件 二极管的正极 肖特基二极管 器件开关速度 电力二极管 二极管全控 恢复二极管 二极管的反向 特基二极管 普通二极管
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