光耦mosfet（光耦MOS继电器）

发布时间：2023-06-09

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IR2110作为MOSFET驱动芯片，若你的主电路是大电压大电流，而控制电路一般都是低压，小电流，二者之间必须隔离（一般用高速光耦），以防主电路发生故障，控制电路跟着烧坏。

逻辑输入兼容IR2110/IR2113，标准CMOS或LSTTL输出，下降到3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化在高频应用中使用。

应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

调整电路参数：根据电路需求，可以通过调整IR2110的RC延迟时间、占空比等参数来优化电路性能。保护电路：为了保护MOSFET和IR2110，可以在电路中加入过流、过压、过温等保护电路。

电路图上的Ug应该是Ug2，Ug1和Ug4可以共接一个驱动信号A，Ug2和Ug3一样信号B，A和B应该是相位或电平相反(如A=1 B=0或A=0 B=1)，A B可以是较高频变的PWM脉冲信号。

两只mosfet尽量选取特性一致的，且单只耐压大于总VDS的一半，悬浮高压略低于VDS的一半。这种电路的优点是驱动电路简单，占空比可以从0~100%。用隔离变压器驱动的电路我见过实物有6只mosfet串起来工作的。

就是说Vs电压要比Vd大，且超过一个门槛值，才有电流流过。上图G极与S极之间内部是有类似二极管的结构，但是，电路图上的符号，并不是二极管，那个黑色箭头只表示器件中多数载流子的流向。

1、但通常不会这样做，因为MOS管的D输入电压较高，能通过结电容给单片机的IO带来较高的尖峰电压，存在风险（MSP430的IO没有保护二极管），所以一般都会加隔离。

2、单片机驱动mos 是n沟道吧，是ttl电平的mos吗？如果不是一定要加驱动电路，快速的打开和关闭。

3、可以加，单片机管脚驱动能力有限，光耦可以很好的驱动三极管；光耦的隔离作用，使得单片机免受干扰，系统更稳定；防止负载端故障烧毁单片机IO。

1、VCC 和 VO 终端可能被绑到一起来实现惯常的光敏达林顿晶体管放大器操作。基极接入终端实现对增益频段的调节。6N139 适用于 CMOS、LSTTL，或其它低功率应用中。

2、til113光耦用法：一脚二脚可以内接发光二极管。til113引脚功能是，一脚二脚内接发光二极管，三脚四脚内接三极管的集电极和发射极。

3、建议你使用PNP三极管（9012等）很容易实现低入高出，并且具有良好的放大性能。我使用在很多无需隔离的电路中，多年来表现非常稳定可靠。

光耦mosfet（光耦MOS继电器）

1、你要驱动MOSFET的话需要把他的5脚和8脚接一起然后接VCC，6脚接栅极电阻，7脚接GND的。很简单的。

2、应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

3、不需要。美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)。

4、我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平(6脚与5脚)相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。

1、PC923的话你要驱动MOSFET的话需要把他的5脚和8脚接一起然后接VCC，6脚接栅极电阻，7脚接GND的。很简单的。

2、这个很明了，你的这个光耦肯定也有较小的漏电流，这个小的漏电流就足以驱动MOSFET让他开通。这个时候你只要将MOSFET的门极用一个100K的电阻接地，泄放掉这些电荷，就可以防止误导通。

3、光耦驱动电路原理：电流通过5V电源，送低电平到发光二极管，因为有电流通过而发光，电阻R2，T1就导通，T1的E和C，到地，光耦的发光二极管，电源VCC通过R3，到地，致使三极管接收端导通。

4、左边一种如果逻辑极性不对，不要改用右边的电路，可以改输入端，让输入通过电阻和光耦对地。

5、不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。