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MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只庆扰能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管咐差世通俗讲就是小电流放大成衡肢受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。
MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。
拓展资料：
MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。
高压时mos管的栅源电容比低压时是受栅漏和栅源电容的影响。栅源电容比低压受到的影响，感应罩空到的dv/dt会导致功率管物者瞎开启，MOS管电容特性：简嫌此单的说，Cgd越小对由于dv/dt所导致的功率管开启的影响越少。同样Cgs和Cgd形成了电容分压器。
MOS管的特性：1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。
电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。
电流流向：由漏极d流向源极s。
沟道开启条件：N沟道增强型场效应管：当VGS＞VT（开启电压）时，衬底中的电子进一步被吸至栅敏茄孙极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区纳谈的N型沟道。把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生桥链漏极电流 I D，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。
MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。
P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。
D4148MOS管是一和薯种N沟道MOS场效应管，其参数如下：
1. 最大漏极-源极电压（VDS max）：30V
2. 最大栅极-源极电压（VGS max）：20V
3. 最大栅极功率耗散（PD max）：250mW
4. 最大漏极电流（ID max）：300mA
5. 典型的栅极截止电压（Vth）：-0.8V
6. 典型的漏极电阻（Rds on）：7.5Ω
7. 栅春棚纯极电容（Cg）：33pF
8. 输出电容（Coss）：18pF
这些参数仅扒咐供参考，实际应用时应根据具体的电路设计和使用条件进行合理的选择和调整。
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