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1、肖特基二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。
2、肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。
3、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。
4、作用:(1)肖特基二极管是一种热载流子二极管。
正向压降数值不同:直接用数字万用表测(小电流)普通二极管在0.5V以上,肖特基二极管在0.3V以下,大电流时普通二极管在0.8V左右,肖特基二极管在0.5V以下;SR350 就是表示3A50V。
所以肖特基二极管与普通二极管明显的区别如下:肖特基二极管的反向恢复时间比普通二极管短,所以工作频率更高。肖特基二极管的反向耐压比普通二极管低,一般低于200V。肖特基二极管的正向压降比普通二极管低,因此功耗低。
肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒,以产生整流的效果,和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低,而且可以提高切换的速度。
肖特基二管具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,最高仅约100V,以致于限制了其应用范围。
肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,肖特基二极管也称为金属-半导体(接触)二极管,具有开关频率高和正向压降低等优点。
耐压不同:普通硅二极管的耐压可以做得较高,但是它的恢复速度低,只能用在低频的整流上,如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电,最后导致管子严重发热烧毁。
开关二极管,是用用在信号的控制电路,在电磁炉中的保护电路输出端和信号端的静态隔离就是用开关二极管完成,简单又可靠。肖特基二极管,是稳压管的一个分支,但是还是是属于稳压二极管的范畴。
肖特基二极管的耐压能常较低,但是它的恢复速度快,可以用在高频场合,故开关电源采用此种二极管作为整流输出用,尽管如此,开关电源上的整流管温度还是很高的。
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
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