两个mos管串联电路（两个mos管串联原理）

发布时间：2023-06-11

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所以就用mos管代替二极管。但是mos管有一个问题，就是内部集成了一个续流二极管，你分析一下电路就知道了，如果只用一个pmos的话，5v的电压会经过mos管直接流进锂电池中。

MOS管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

用两个二极管反向并联——若是理想二极管，则反向并联后相当于一个小电阻。

较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。

二极管并联是为了提高输出电流，当单个MDD二极管的最大输出电流不够时可并联二极管。二极管并联时要用参数一致的，最好要在每个二极管两端并联均流电阻。二极管串联是为了提高耐压值。二极管的耐压不够时可用串联二极管的方法解决。

两个mos管串联电路（两个mos管串联原理）

宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。

：2，那么两个 MOS 管的宽长比的比（注意是两个宽长比的比）应该也是 1：2，因为如上所述 Id 与宽长比成正比。所以如果 MOS1 的宽长比为 10，那么 MOS2 的宽长比应该为 20，以此类推。

mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

在5V时，Q4Q45截止，两个mos管的G端电压为0，他们也同时截止，D37与D39就呈现断路状态；注意D3D39电压不能低于40V，否则mos管VGS过高，会对管子有损伤。也不能高于50V，否则无法正常开通。

影响功率MOSFET并联均流的因素在功率MOSFET多管并联时，器件内部参数的微小差异就会引起并联各支路电流的不平衡而导致单管过流损坏，严重情况下会破坏整个逆变装置。影响并联均流的因素包括内部参数和外围线路参数。

以上参数确定后，可计算可得到MOS管的宽长比。

简单解释一下吧，MOS管有三个脚，两个MOS管串联，一个开一个关是截止的，一个关一个通是截止的，连个关是截止的，只有两个同时开或者同事关才是导通的。

：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。

充电回路采用双MOS串联式控制回路，使回路电压损失较使用二极管的电路降低近一半，充电采用PWM模糊控制，使充电效率大幅提高，用电时间大大增加。

上管的浮动驱动高压必须低于下管的VDS耐压值，否则下管电应力会超标。虽然原理上讲可以使用更多的mosfet串接起来达到更高的工作电压，但实际产品通常只有两只串联的。

两个nmos串联相当于与门。与门电路：与门是两个或者两个以上输入端，一个输出端的器件，当一个输入端为0时，输出就是0，只有所有的输入端是1时，输出才是1。

你看到的一定不是两个二极管，一种可能是一个稳压管串连一个二极管，其中二极管是温度补偿用的如2DW7，也有的是用来阻止反向电流的，还有一种可能是两个稳压管，起到双向限幅作用，不过，通常都是并联。

作用：由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。

PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

mos管串联和并联的区别在于电路中mos管的连接方式不同。串联指多个mos管的源极和漏极依次相连，而并联则是多个mos管的源极和漏极同时相连。

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate，源极Source，漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。