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名称叫法不同：二极管，一个PN结，单向导通，反向截止，二极管又叫做晶体二级管。晶闸管，是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。三极管，又简称晶体管或晶体三极管。
晶闸管和二极管是两类不同的器件，谈不上区别。晶闸管有单向和双向之分，通常的晶闸管，开通后不能自行关断，需要在外加电压下降到0甚至反向时才关断。
IGBT是一种全控型电压驱动半导体开关，开通和关断可控制；可控硅需要电流脉冲驱动开通，一旦开通，通过门极无法关断，需要主电路电流关断或很小才能关断。具体可以查看有关书籍或在网上搜索。
可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
IGBT 结构上是电压控制的三极管。开关速度比MOSFET慢些，特别是off time. 但是，它容易做到高电压，大电流。所以，像动车组，电动汽车等都用它（反相击穿电压几千伏）。由于它导通后会像三极管一样有CE电压。
大功率整流用可控硅。IGBT与可控硅相比各有优点，前者是可控制开-关元件，后者大多数是只能控制开，不能控制关（现在有可关断可控硅了）。
两者不同。。可控硅是个稳压元件 你提供的电流大小可控硅的导通程度不一样，简单的说可以调大调小所以说是可控。
可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
igbt发热严重。igbt中感应加热设备的整机效率为80%以上。可控硅感应加热设备的整机效率为50%-60%。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
单管igbt。单管igbt和可控硅是单管igbt电流大，igbt的通态压降很低，特别是在大电流的情况下更为明显。
肯定不行呀。IGBT是全控型器件，可控硅是半控型。且IGBT的开关频率和可控硅不是一个等级的。
可控硅具有关断周期，而IGBT可以随时关断，这就是它的优势。
IGBT晶闸管，其结构为绝缘栅双极场效应晶体管，可以触发导通，也可以触发管断，所以称为全控器件；IGBT晶闸管优点：输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和压降低（甚至接近GTR的饱和压降）、耐压高、电流大。
单管igbt和可控硅是单管igbt电流大，igbt的通态压降很低，特别是在大电流的情况下更为明显。
IGBT是逆变电路，非整流电路，可以把直流电逆变成交流电。
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