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1、在不考虑体电阻的情况下,只要栅源电压大于开启电压,MOSFET是可以双向导通的,此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性,不过两个方向的电阻特性并不完全一致。
2、反向也是可以通的,当MOS管导通,D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路,可以看出导通方向是S到D,不是D到S。
3、MOS管击穿的原因可能是由于电压过高,这会导致绝缘层被击穿,也可能是由于绝缘层的损伤或电磁干扰等因素导致的。为了防止MOS管击穿,可以采用多种方法,例如增加绝缘层的厚度、改进MOS管的结构、降低工作温度等等。
4、好奇葩的问题!如果源级电压小于漏极电压,那么栅漏电压大于开启电压的同时栅源电压也必然大于开启电压,也就是开启。如果源级电压高于漏极电压,那两者就反过来了,还是开启。
5、mos管是电压控制元件,在某些方面使用起来很方便,当然,在开关电路中,由于mos管的导通电阻很小,所以使用也非常好,在开关电路中应用,就是一个能够受控制的开关,一般是受电压信号的控制。
6、P沟道的,本来就是MOS管本身里有一个体二极管,是D级到S级,就按沟道不打开,电流不经过沟道过去,也可以先过它的体二极管到S级的。
1、反向出电流实际快恢复二极管,由于耗尽区外边缘扩散长度以内载流子的扩散以及耗尽层内载流子的空间产生,总是会有微小的电流,这就是器件的反向漏电流IR,它决定着二极管反向工作时的功率损耗。
2、抑制二极管的原理抑制二极管的原理是通过在二极管的基极和集电极间接入一个反向导通的二极管,来抑制二极管的瞬间反向恢复电流。
3、mos防反接一般用于大电流,二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻,稳压管作用是稳定VGS电压,保护MOS。mos管DS串接在主电路中。
4、不会,这个二极管工作在反向状态,反向电流极为微弱,可以忽略不计。另外,这个二极管实际上是等效出来的,而真正的做一个二极管在上面,主要起保护,防止反向击穿的。
5、mos不能通过反向恢复超额定电压。现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关,或者使用主要是构成的逻辑集成电路,而作为开关应用的二极管主要是利用了通电阻很小、断电阻很大特性,即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。
6、二极管在从正偏转换到反偏的时候,会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极,其反向电流先上升到峰值,然后下降到零。那么其上升下降的时间就是反向恢复时间,峰值电流就是反向恢复电流。这个在高频率的应用中会带来很大损耗。
1、在不考虑体电阻的情况下,只要栅源电压大于开启电压,MOSFET是可以双向导通的,此时MOSFET表现出来的就是一个压控电阻特性,不过两个方向的电阻特性并不完全一致。
2、反向也是可以通的,当MOS管导通,D和S端就相当于一个电阻。可以参考用MOS搭的直流电压防接反电路,可以看出导通方向是S到D,不是D到S。
3、MOS管击穿的原因可能是由于电压过高,这会导致绝缘层被击穿,也可能是由于绝缘层的损伤或电磁干扰等因素导致的。为了防止MOS管击穿,可以采用多种方法,例如增加绝缘层的厚度、改进MOS管的结构、降低工作温度等等。
4、mos防反接一般用于大电流,二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻,稳压管作用是稳定VGS电压,保护MOS。mos管DS串接在主电路中。
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