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MOS管的4个工作区，你说的不是很芦梁确切。
应该是可变电阻区，饱和区，击穿区，夹断区。
开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。
放大状态工作在饱和区。
注意：MOS管的饱和区和三弯圆极管的饱和区，埋哗塌完全不是同一个概念。
MOS管的夹断区和饱和区的区别是：
1、Uds（漏源电压）和Id（漏极电流）的关困腊系不同：
夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大。
2、Id的取值不同：
夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。
3、场效应管搏消的状态不同：
夹断区也称为截止区，此时MOS（场效应管）管为截止状态；饱和区也称为放大区，MOS管用作放大元件时，都工作在这一区。
场效应晶体管简称场效应管。分为两种类型：结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管简称MOS管）。
扩展资料
场效应管的作用：基尺知
1）因为场效应管放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。所以常场效应管用于放大电路。
2）因为场效应管的输入阻抗很高，所谓非常适合用作放大器输入级作阻抗变换。
3）场效应管可用于可变电阻。
4）场效应管用作恒流源。
5）场效应管用作电子开关。
参考资料来源：《电子技术基础 模拟部分》 虞光楣 主编 北京工业大学出版社
第一章 半导体器件的基本知识 1.4 场效应管
参考资料来源：百度百科--场效应管
栅极电压(Vgs)小于开通电压(VGS-右上图圆和)时处于截止区；当Vgs电压高于开通电压后，如果加在DS端的Vds电压能保证Ids受Vgs控制，就是放大区；假如Vds不能保证Ids达到Vgs所渗腔岩控制的电流就进入饱和区了；信号放大电路中晶体管工作在放大区，而用作开关时(数字丛御电路或DCDC变换)工作在截止区和饱和区。
通俗说：截止区就是不导通，放大区就是随电流的改变察梁工作点呈线性变化，饱和区就是工败薯运手迹作状态时工作点不随电流的增加而改变。
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