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反向导通利用的是寄生二极管
这个寄生二极管是由于生产工艺造成的，并不是刻意加上去的，通常存在于大功率的管子，小功率和集成电路中没有这个反向特性
例如一个200W的管子datasheet中就有森派旦双向特性
通常这个二极管起到保护晶体管的作用，如遇到较大的反向冲击时不会击穿管子
另外我个人认为，这个寄生二极管相当于一个快恢复二极管，毕竟MOS的工作频率较高，如果频率低，则没必要考虑寄生二极管的特性羡搏，频率很高的时候，正向不能正常工作也就此扰没必要考虑反向特性。
水平有限，仅供参考
在曲线中，工作兆碰区可分为三部分：
可调电阻区（冲喊或称非饱和区）；
饱和族判谈区；
击穿区。
MOS管的输入不叫输入特性中谈曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压答培瞎UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。在放大状态（MOS管工作于恒流区）时，输出特性曲线可近似为与横轴平行的一根直线，因此此时可以用一根转移特性曲线来代替恒流区的所有曲线。但在可变电清空阻区时，对于不同的UDS，转移特性曲线变化很大。
电力MOSFET的输出特性分为：
（1）截止区（对应于GTR的截止区）；
（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；
（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。
电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
扩展资料
MOSFET的核心是金属—氧化层—半导体电容。氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅，这样的结构正好等于一个电容器。
氧化层扮演电容器中介电质的角猜举色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。
当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体举兆旁的电荷分布也会跟著改变。考虑一个P型的半导体（空穴浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加。
当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过空穴。这个在P型半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）正橡浓度的区域，便是所谓的反转层。
MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载流子的源极以及接受这些多数载流子的漏极。
参考资料来源：百度百科--全控型器件
参考资料来源：百度百科--MOSFET
不一样
我们通常在MOS管的资料上核枣是看不到输入特性曲线的。
顾扒悉名思义“MOS”即金属氧化物绝缘栅半导体晶体管，它的输入回路是绝缘的。
也就是说不论输入电压多大（额定范围内），它的输入电流都是零。
所以也就不需要提供输入特性曲线了。
不同于MOS管，普通的三极管（BJT）的输入回路是一个PN结，它有正春氏乎向导通和反向击穿特性。
所以BJT手册里面有输入特性曲线，而MOS管手册里面没有输入特性曲线。
关键词：电容器 半导体电容 电容 电容的 三极管输入输出 二极管的特性 电阻 mos管输出 导体电容 恢复二极管 寄生二极管 可调电阻 快恢复二极管
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