pwm驱动mos管电路（pwm驱动mos管电路图）

发布时间：2023-05-15

阅读量：376

本文目录一览：

MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。

PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。其常见的电路有PWM MOS管底边驱动，半桥输出、H桥输出和三相弯埋全桥输出。

常见pwm驱动mos管开关电路：只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部孝塌有寄生电容有时候为了加速电容放电，会在限流电阻反向并联一个二极管。

pwm驱动mos管这个电路提供了如下的特性：

1、用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2、用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。

3、gate电压的峰值限制。

4、输入和输出的电流限制。

5、通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

6、PWM信号反相。NMOS并不需要这个埋慎蚂特性，可以通过前置一个反相器来解决。

MOS管内阻很小，普通的有 40mΩ 左右，导通电流支蚂信谈持20A；好的能到4mΩ左右，导通电闷碰流支持80A；

10A电流在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为2.1V~4V，标称3V；3.7V的锂电池，饱和是4.2V，选择3.3V工作的单片机，足够驱动了。

真正要考虑的是电池的负载能力，10A的瞬态输出，及3A的持续输出，电池负载能力不足的话，电压会瞬间跌落，很可能低于3V。解决方法：

①增大电源电路的退耦电容容量；

优点：在电池电压下跌的瞬间，释放大量电量维持电压，保持单片机正常工作；

缺点：治标不治本，电容电量来自电池，充电时会消耗大量电池电量，需要常充电的电池；

②采用负载输出能力强的电池；

优点：从根本上解决负载坦迟能力不足导致电压下跌的现象；

缺点：造价不便宜；

输入是2-3脚，功能与普通的光耦一样，只是蠢谈知速度上高一点

输出是侍敏6-7脚，驱动IGBT比较适合，里面是集成电路，电流稍微比普通光耦电流大一些，所以它上下（VCC,VEE）是适合宽电压

其实就是说它的驱动能力强，带保带消护，宽电压，适合高频率，耐压高，适合IGBT

驱动MOS嘛，你用521就行了，比较灵活，还不贵

这是一个凳运类似电路，升压用IGBT 比较好，单好肢片机的PWM波形一般不能直接驱动MOS管，驱动电流不足一般加一个放大电路和隔离电枣袜梁路

pwm驱动mos管电路（pwm驱动mos管电路图）