mos管电机驱动电路图（mos管电机驱动电路设计）

发布时间：2023-06-19

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1、这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

2、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。

3、使用p mos管，可以解决你这个驱动问题。或者使用驱动变压器，但是会增加成本并且体积增大。

4、由UC3637和IR2110共同构建一种高压大功率小信号放大电路，并通过实验验证了其可行性。

5、管的两个PN 结均需反偏；c. MOS 主要通过多子载流子导电，是“单极型”器件。而三极管的多子载流子和少子载流子均参与导电，是“双极型”器件；d. MOS 管可以在低电流低电压下工作，因而广泛应用于半导体集成电路。

6、首先，栅极串联10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的Q值。其次，驱动电路结构尽量简单，最好有隔离。最后，电阻限流，然后接入到MOS管的G极即可。

mos管电机驱动电路图（mos管电机驱动电路设计）

输入控制信号是PWM1 当PWM1是高电平时，Q2导通，Q1也导通，+5V通过QDR1给MOS_1提供（大电流）高电平；当PWM1是低电平时，Q2截止，Q1也截止，Q3因基极电阻R6导通，MOS_1为低电平。

电阻是起限流的作用。二极管是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。

也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。三极管的基极电流一般只有1mA就可以让其饱和导致了。具体的，你可以看一下这个三极管的规格书。

VDD12C为12v时，栅极电压约为0.06mv，此时Q94有可能会导通；当输入为3v时，Q94栅极为0V，Q94导通这种电路一般应保证管子充分导通与截止，就是在导通的时候降低VGS，保证VGS为负，截止的时候提高VGS，保证VGS为正。

输入来的信号分压，和输入电流限流。DO输入的高信号有效。R096 R097 R098是一组工作点分压电路，接近10-11伏左右，DOUT92输入的低信号有效。R97电阻有两个作用，输入来的信号分压，和输入电流限流。

图中Q192 Q193发射极没有电阻，是不会有输出的。你这个mos管是不工作的。

这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

电路原理图：单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西，要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

http：//wwmicrochip.com/downloads/en/DeviceDoc/51555b.pdf http：//？PartNO=mcp1630rd-lic2 完整的方案。

图一：适合开关频率不高的场合，一般低于2KHz。其中R1=10K，R2 R3大小由V+决定，V+越高，R2 R3越大，以保证电阻及三极管功耗在允许范围，同时保证R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于40V。

不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。

可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通。如果箭头指向栅极，那么MOS管就是高电平导通。如果箭头未指向栅极，那么MOS管就是低电平导通。

这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。

Q1截止时，如果没有后面的Q2，则RR3会将电压平分；不过这里Q2基极电压受BE结正向压降限制，不会是65V了，而是约为0.7V。