双栅极mos管（双栅极mos管符号）

发布时间：2023-06-21

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AC时，继电器也比MOSFET要方便得多。

华微电子 MOS产品的应用领域主要有光源领域MOSFET，比如 LED灯，LED驱动电源等，还有 PC电源领域MOSFET，逆变器领域MOSFET，LCD、LED电视领域MOSFET，适配器领域MOSFET等。

MOSFET是场效应管场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

双栅极mos管（双栅极mos管符号）

1、当栅极和源极间的电压VGS(G代表栅极，S代表源极)小于一个称为临界电压(threshold voltage， Vth)的值时，这个MOSFET是处在“截止”(cut-off)的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。

2、PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。

3、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。

双极晶体管，有双极二极管和双极三极管。双极二极管就是单结晶体管，还有一种里面是两个二极管的封装，那是半桥，不属于双极晶体管。双极三极管有四个脚，俗称四极管。

双极性晶体管就是三极管，它是由两个PN结构成的；还有一种单极性晶体管就是场效应管。三极管是电流控制型元件；场效应管是电压控制型元件。

双极型晶体管就是三极管。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。

源极、栅极、漏极的定义如下：源极（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。

关系是S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

数字万用表置电阻挡，先假设一极为G，接红笔，黑笔接一极设为S，黑笔不动，红笔接第三极，若电阻很小，假设成功，红为G，黑为S，第三极为D.反复假设测量，符合以上假设完成测试。

1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

3、可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0。n沟道耗尽型mos管的可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0，此时为截止区。vdsvgs-vtn和vgs≥vtn，此时为可变电阻区。

4、在场效应管的放大电路中，为实现电路对信号的放大作用，必须要建立偏置电路以提供合适的偏置电压，使场效应管工作在特性的恒流区。

5、恒流区状态。源极跟随器，是用得比较广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道耗尽型MOS管，该电路由于输入电阻大，输入电容小，所以源极跟随器的放大管在工作时需要在恒流区的状态来保持输入输出的电阻、电容平衡。