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1、gs有电压差到一定程度的时候,mos管就会打开,这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压,这样可增加mos管的抗干扰能力。
2、G,S之间加电阻是为了泄放G级的电荷。当G级没有信号输入时,G级残压电荷,或是静电累积的电荷,就会在gs直接形成电场,差生电势差,而gs之间的门槛电压是很低的,容易导通,继而ds也导通。
3、你好!这个电阻影响G极电流,即其大小影响MOS管开关速度。同时,此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。再具体的,你可以查下MOS管驱动电路的资料 如有疑问,请追问。
4、由于G、S极间有电容存在,存储大量电荷而影响开关速度。所以需要用电阻来为G\S的电荷提供泄放通路。
5、泄放电阻,防止静电击穿GS结以及把G极可能的残留电荷导向地。
6、电阻是用来保护MOS管,主要是限制驱动电流的作用。然后4148是用来加快关断速度的。
1、gs有电压差到一定程度的时候,mos管就会打开,这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压,这样可增加mos管的抗干扰能力。
2、G,S之间加电阻是为了泄放G级的电荷。当G级没有信号输入时,G级残压电荷,或是静电累积的电荷,就会在gs直接形成电场,差生电势差,而gs之间的门槛电压是很低的,容易导通,继而ds也导通。
3、MOS开关由GS电压空置SD闸。两个作用,1,GS电位突变变化保护作用。2,减少MOS震荡时间。
用普通小电阻即可,MOS管栅极电流很小,这个电阻主要跟上升/下降时间有关系,一般选择几十欧姆的电阻即可。
MOS管 GS电阻(输入电阻 )【几十M~几百M】远大于双极三极管BE电阻【几KOhm】;而导通饱和时DS(输出电阻)【0.1 Ohm】一般又大于双极三极管CE电阻【0.5 Ohm】;导通线性放大时DS与CE相当【几百KOhm】。
你好,MOS管DN3525N8-G导通电阻是 6 欧姆。
导通电阻的大小是一种非线性变化,跟GS两端电压有关,如果UGS=UGS(th)时,一般这个电阻大概有几欧到几十欧,当UGS=8~10V时,这个电阻会下降到零点几欧甚至零点几毫欧,非常小。
mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。
mos栅极与源极之间的泄放电阻一般是5K到10K,那么并联的mos栅极与源极的泄放电阻是每个都用5k-10k还是加起来5k-10k。
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