光耦如何降额（光耦关断太慢）

发布时间：2023-06-24

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1、MOC3083，资料标明可双向可控硅一侧电流最大可以达到1A，但实际工作时，不能按临界值工作呀。还是配一个电流比较大一点双向可制硅，更可靠些。工作电流是1A，选可控硅的电流至少要2A以上。

2、MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流，驱动BTA16是没有任何问题的，为了保证安全，建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。

3、光耦本来就是一个小的继电器，可以使用，但是负载1~2A就不好说，要看封装形式吧一般的光耦比如MOS308TLP3063SD21等的额定最大电流为1A，而且抗冲击电流时间很短你还是选用故态继电器比较可靠。

光耦如何降额（光耦关断太慢）

入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

首先需要确定NPN晶体管的基极电流IB和最大集电电流ICmax，这些参数可以在晶体管的规格书中找到。例如，假设IB=10mA，ICmax=200mA。

光耦驱动电路原理：电流通过5V电源，送低电平到发光二极管，因为有电流通过而发光，电阻R2，T1就导通，T1的E和C，到地，光耦的发光二极管，电源VCC通过R3，到地，致使三极管接收端导通。

设：左面的三极管为T1，右面的为T2，T2发射极电阻为R3，R1的上端接电源VCC。简单地说：T2负责驱动LED，T1从R3上采样构成一个负反馈环路。

1、光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏（三极）管封装在一起。

2、图1输出高电平时串了一个电阻，使电流很小，如果后面的电路输入阻抗低，就会造成电压降低，甚至工作不稳定，但光耦是安全的，不会被烧掉。因此，图2抗干扰能力强，但不够安全。图1电路不容易坏，但带负载能力差。

3、光耦隔离：采用光耦合器进行隔离。变压隔离：指输入绕组与输出绕组带电气隔离的变压器，隔离变压器用以避免偶然同时触及带电体，变压器的隔离是隔离原副边绕线圈各自的电流。

4、光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离。光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏三极管封装在一起。

5、常用的隔离方式有变压器耦合、光电耦合和电容耦合。众所周知，变压器可以通过磁的耦合将信号从初级传递到次级，起到电气隔离的作用。但是变压器只能变换交流信号，不能传递直流信号。

光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。

如图：R要根据你所接电压和电机M的工作电流来调整！单片机输出电压为5V所以R1一般用1/8W 500欧左右。（最好在M电机两端并一个二极管以保护电机停转时的反向电流将光耦击穿。

只要连接在OUT1的负荷阻抗不要太低，就没问题。PS2801-4：最大集电极/发射极电压： 80 V 。最大集电极电流： 50 mA 。

你分析的没有错。关键在于电路对于高阻是如何处理。某些器件将输入高阻（悬空）视为低电平，某些器件将输入高阻视为高电平，还有某些器件输入不允许高阻。因此，是否正确，关键看其后电路。

两种情况光耦坏了你用的光耦是protel本身自带的元件库吧，他自带的原理图管腿分配是这样的 1 3 2 4 很有可能你封装弄错了，用这种器件的时候要注意。

ps2501-1是一个光耦开关电路，作用是在1和2脚加上正向电压，输出脚3与4之间导通，相当于短路，如此就知道这个电路了，din1是输入，din3是输出。

NEC的光耦也比较多，你写的那个2sk2054不是光耦，是一个MOS管。NEC的光耦的型号都是 PS为前缀的，类似PS2501之类的。TLP521和TLP621一般情况下可以直接互换。导通电流稍有差别。一般的光耦参数：正向压降VF。

输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：正向工作电压Vf（Forward Voltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。

需要考虑的参数太多了，根据重要性主要有如下几个。首先是延迟时间，这个参数影响传输度。