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光纳敬耦并联电阻是会影响环路速度的。在电路的设计里有很多方法能够提高光耦的洞腔慎反应速度,在光耦端输入并联圆销电阻就是其中一种方式。
在光耦的输入端,有寄生电容陪清存在,这个电容上的存储电荷影响翻转速度。并联电阻后,可以及时泄放掉电容上漏辩的存储电荷。解决快速翻转时可芦搜前能出现的误动作。
光耦并联一个5K电阻,如光耦导通压册睁降Vf=1.5V,那当signal回路中电路I0.3mA,则光耦不导通。
一般情况下回路中干扰小于0.3mA。如果没有这个电阻,干扰产生的电流都会流过光耦。经过CTR变比到副边。
并联电阻主要是保证光耦的可靠导通。
在输入端与地之间并联一只州渗岁电容来吸收干扰脉冲,或串联一只金属薄膜电阻来限喊举制流入端口的峰值电流。怕脉冲干扰LED误亮,或是怕上电期间短暂的L使LED亮。
并联电阻作用有多种,告悉可以在对光耦进行反向保护,因为光藕反向时(5~6V)可反向导通,如果反向电压继续升高,器件会损坏。无论是何种都会造成功能失效(刚反向时,光耦会导通)。但这个电阻不能太小,如果太小,则电流基本上都在电阻上流过而袜笑乎在光耦上没有流过,如果是保护光耦建议加反升雀向二极管进行保护。
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