双mos管电路（双mos管驱动电路）

发布时间：2023-06-30

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1、本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

2、如果是两个管子并联，就是加大电流，用两只管子代替一只管子，提高驱动能力。如果是复合管连接，就是增大管子的跨导，即增大放大能力。

3、饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。

4、普通MOS管不能做频率多高的高频放大电路，除非一些HEXMOS可以做一些短波段的，最好去选VDMOS或者LDMOS之类的管子，但是高频管子都比较昂贵哦。一般高频管子的datasheet都有参考电路去看。

5、Q1导通输出高电平，Q2输出低电平。其输出状态由前面晶体管控制，导通Q2输出为低电平。在这个使用环节MOS管起开关作用，其放大作用体现在mos管栅极用极小的电流可以控制（开关）很大的电流。

6、该电路由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成，图1所示是其组成框图。

1、把采样R换成电感、B中或Vcc进D这路上串，：N采样、半波、全波、桥整流都可以、满足vpP｜v条件的反馈保护控制。栅下地不需接c、接c后会增加放电延时时间，对电路不利。

2、这种电路没有均压功能，但由于mosfet不会出现二次击穿，故不会影响可靠性。上管的浮动驱动高压必须低于下管的VDS耐压值，否则下管电应力会超标。

3、PS：MOS管比较重要的参考有Vds，即d与s端允许的最大电压值；Ron，导通时的电阻；Ton，Toff，开关状态转变的时间。

4、MOS管有可能因为漏源电压变化率过大或者漏极电流过大而产生失控的后果。晶闸管包括GTO是有二次击穿的问题。晶闸管串联时，并联电阻由于半导体器件非线性和参数离散性，所以起不到动态均压的作用，只能起到静态均压的作用。

mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。

截止状态：当输入的负偏置信号（例如地）加到mos管的基极上时，使管子导通而工作于截止区。在这种情况下输出端没有电流通过。

MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。

双mos管电路（双mos管驱动电路）

这个电路一般是5v和锂电池电源之间切换用的。如果用二极管隔开两个电源，压降太大。所以就用mos管代替二极管。

本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

电源开关，还是开关电源。用一个开关管的也有，用两个的也有，用四个的也有，用八个的还是有。其实最多的还是用一个开关管的，用3842系列的PWM电路驱动，只是功率稍小，一般用于150瓦以内。

mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。

如果是两个管子并联，就是加大电流，用两只管子代替一只管子，提高驱动能力。如果是复合管连接，就是增大管子的跨导，即增大放大能力。

总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。