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夹断后，不是完全夹断的。靠近源极，还是有沟道的，靠近漏极的沟道被夹断的。在夹断沟道内，存在比竖漏较强的电场，所以对电子还是有很强的吸引作用的。电子会被拉入漏余斗烂极。形成销源电流。
MOS管的夹断区和饱和区的区别是：
1、Uds（漏源电压）和Id（漏极电流）的关困腊系不同：
夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大。
2、Id的取值不同：
夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。
3、场效应管搏消的状态不同：
夹断区也称为截止区，此时MOS（场效应管）管为截止状态；饱和区也称为放大区，MOS管用作放大元件时，都工作在这一区。
场效应晶体管简称场效应管。分为两种类型：结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管简称MOS管）。
扩展资料
场效应管的作用：基尺知
1）因为场效应管放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。所以常场效应管用于放大电路。
2）因为场效应管的输入阻抗很高，所谓非常适合用作放大器输入级作阻抗变换。
3）场效应管可用于可变电阻。
4）场效应管用作恒流源。
5）场效应管用作电子开关。
参考资料来源：《电子技术基础 模拟部分》 虞光楣 主编 北京工业大学出版社
第一章 半导体器件的基本知识 1.4 场效应管
参考资料来源：百度百科--场效应管
场效应管在夹断后,还有饱和电流的原因是：
当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高消乱。在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源湍最厚，漏端最薄，逐渐升高。在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源端最厚，漏端最薄，当VDS增大到栅一漏电位差VGS= VLS= VGS(rh)时，漏端预夹断。这个夹断区成了漏一源间电流通路上电阻最大的区。V璐的任何一点增加都必然会集中降在这里，使预夹断区具键桥冲有很强的电场。由于现在被夹的只是漏端的一个小区域，在预夹断区左边还有N沟道，这些自由电子仍可在沟道中漂移，在到达预夹断区时，就受夹断区强电场的吸引，滑入漏区。所以，在漏端预夹断后，漏一源之间仍有漏极电流ID。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、稿歼没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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