沟道mos管（mosfet沟道）

发布时间：2023-07-02

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1、宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。如果只是用来做驱动的话，根据负载能力确定宽长比。

2、mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

3、mos工艺的特征尺寸是指mos工艺可以实现的平面结构的最小尺寸，通常是指最窄的线宽。在集成电路领域，特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。

4、根据查询相关公开信息显示：mos管的内阻大小主要由器件的电流、沟道长度和沟道宽度决定，而漏极结电阻大小主要由材料的特性和工艺参数决定，沟道电阻与电流成正比，与沟道长度呈正相关，与沟道宽度呈反相关。

1、mos工艺的特征尺寸是指mos工艺可以实现的平面结构的最小尺寸，通常是指最窄的线宽。在集成电路领域，特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。

2、与跨导不同，MOS管的尺寸则主要指沟道长度、沟道宽度等物理尺寸。在MOS管的制造过程中，通过调整MOS管尺寸可以调整其特性，如阈值电压、输出电流等，并影响其跨导的大小。总之“跨导”和“尺寸”是MOS管的两个重要的电学参数。

3、mos晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大vds，夹断点会略向源极方向移动。

4、两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。

5、纳米，不过现代cmos已经是finfet了，属于3D结构。明年或者后年，三星和TSMC要试产7纳米了。核心工作电压很低，只有0点几伏了，为了降低功耗。漏电是由于势垒电压增加引起的少子导电引起的。

6、n沟道mos管 p沟道mos管其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

沟道mos管（mosfet沟道）

1、目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。

2、目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。

3、(1)、根据供电电压为士Vdd测量MOS管栅极氧化层的电容值Cox ； (2)、根据电容值Cox计算MOS管栅极氧化层的积累厚度。其中NMOS管为+Vdd，PMOS管为-Vdd。

1、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

2、对的问题的实质是：增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负，只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的：截止。

3、删源间需要加一定正向电压才能管子才能开启，有一个开启电压Ugs；电流随栅源间正向电压增大而增大，转移特性曲线在第一象限，和三极管类似。

4、MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。

5、MOSFET由三个极层组成，包括：源极(source)：连接到N沟道区域，电流进入晶体管的端点。汇极(drain)：连接到P沟道区域，电流流出晶体管的端点。连接极(gate)：与N沟道区域相隔离，通过一层氧化膜与N沟道区域相连。

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。场效应晶体管)简称场效应管。

1、理想的mos管，不管nmos还是pmos，沟道打开的时候，电流可从源到漏，也可从漏到源。但是实际的mos管，由于制造工艺的原因，在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管。

2、nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的，一般NMOS的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。

3、对于需要较大输出电流的电路，可以使用n沟道增强型MOS管来满足需要。