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MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的,是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。静态特性 MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。
判断mos工作在放大区,饱和区,截止区,击穿区。
i仅受UGs控制,这时场效应管D、S间相当于一个受电压uGs控制的电流源。场效应管用于放大电路时,一般就工作在该区域,所以也称为放大区。
线的左边就是可变电阻区,右边是恒流区,最底下一片是夹断区。比如说,Ugs=10V,Uds=1V,肯定是在可变电阻区了,也就是饱和状态。你的这个图里,Ugs(th)没有说明,这个数据一般要在MOS管前面的数据列表中找。
比较麻烦,首先你得确定管子的类型,根据型号或者符号来查,如果是实物,十有八九是N沟道增强型MOSFET。
MOS管三个极,分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D)。MOS器件是电压控制型器件,用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区:NMOS管的如果栅压小于阈值电压,MOS管相当于两个背靠背的二极管,不导通。
工作原理:MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
干吗这么关注这些名词呢?Vgs和Id有一定的曲线关系,当MOS管可以驱动的电流大于负载需要的电流,电流不再增加,就是饱和了。就好比三极管的Ic和Ibe有比例关系。
1、)可变电阻区(也称非饱和区)满足Ucs》Ucs(th)(开启电压),uDs《UGs-Ucs(th),为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小,沟道电阻基本上仅受UGs控制。
2、判断mos工作在放大区,饱和区,截止区,击穿区。
3、比较麻烦,首先你得确定管子的类型,根据型号或者符号来查,如果是实物,十有八九是N沟道增强型MOSFET。
)可变电阻区(也称非饱和区)满足Ucs》Ucs(th)(开启电压),uDs《UGs-Ucs(th),为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小,沟道电阻基本上仅受UGs控制。
判断mos工作在放大区,饱和区,截止区,击穿区。
只要Ugs大于开启电压,就会在漏极D与源极S间产生导电沟,并且随着Ugs电压增加导电沟变宽,D、S极电阻将越小,当Ugs小于开启电压时,导电沟消失。D、S极阻值变大关断。
简单的说,就是当N-JFET处于可变电阻区或恒流区的时候,管子是导通的。截止条件是:UGS UGS(off)在导通的时候,UG一定是小于US,否则UGS就要变正数,就失去了对导电沟道的控制,很容易损坏G、S之间的PN结。
N道的MOS管箭头是向内侧指向,P道的箭头是向外侧指向的。导通条件都是靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。
电路中常用增强型MOS管,其工作原理:当栅极-源极电压变化时,将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。电流流向:由漏极d流向源极s。
1、数电中,MOS管相当于开关,工作于可变电阻区或截止区:其工作于可变电阻区时,相当于开关闭合,其工作于截止区时,相当于开关断开。
2、判断mos工作在放大区,饱和区,截止区,击穿区。
3、在数字电路中工作在导通区或截止区,在模拟电路中三种状态都可能出现:导通区、放大区、截止区。
4、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容)。
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