广西mos管参数（mos管参数详解）

发布时间：2023-07-05

阅读量：32

本文目录一览：

国外认知度较高的品牌相信很多客户并不陌生：英飞凌，安森美，仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等。

然后，很多MOS管比如SK4965这样的型号一下子看不出来参数，也不方便通过电压电流参数反查型号。

主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

这是一个场效应管，型号不是G40SSVW，正确型号是STF13NK50Z，是MOS场效应管，主要参数是500V/13A，封装形式是TO-220F，这个型号常用于液晶开关电源。可用SVF18N50F ，SVF13N50F 等型号场效应管代换。

海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。

广西mos管参数（mos管参数详解）

ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。因此硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID。

STK630三极管最大电流9A，最大电流200V。可以用STK0825或IRF630三极管代替。

场效应管cs630参数是1200V、630A。查询场效应晶体管说明书得知，CS630场效应管是大功率单向可控硅，其基本参数是：1200V、630A。

N60不能用CS630代用，因为两者不是同一种功能的器件，6N60是N-MOSFET，600V、2A、65W。而CS630却是大功率单向可控硅，基本参数是1200V、630A。

②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

两者数据相差不大，如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管(简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

最大过电流能力三极管有ICM参数，即集电极的过电流能力，MOS管的过电流能力用ID来表示。电流工作时流过三极管/MOS管的电流不能超过规定值，否则器件被烧坏。从工作稳定性考虑，一般要留有30%-50%，甚至更多的余量。

高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。

．极管型号一般都在上面用字母或数字直接表示。2．2CW51稳定管的Vzmin和Vzmax分别为3．0v和3．6v。2 cw7c稳压工作电流5 ma， Rz 18Ω；当工作电流10马，RzΩ；20 ma， Rz 2Ω；20mA基本上保持了这个值。

1、N20的脉冲二极管正向电流(ISM)为72A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N20的栅极阈值电压(VGS)为±30V，静态漏源导通电阻RDS(on)为0.18Ω。

2、ASEMI的低压MOS管20N06是一款TO-220封装的器件，其体积大小为约31立方厘米。具体体积大小还取决于该器件的厚度，不同厂家生产的同型号器件可能会有略微不同的体积大小。

3、ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

4、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

5、因此，60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起，或装在金属箔内，使G极和S极等电位，以防止静电荷的积累。不使用管子时，所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。