正向电阻（发光二极管正向电阻）

发布时间：2023-07-08

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锗材料二极管的正向电阻值大约为1000Ω，反向电阻值大约为300Ω。二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都由二极管来构成的，由于二极管等元件的发明，才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的诞生。

发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω；反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关，当二极管的正向电流在变化时，二极管的正向电阻将随之微小变化，正向电流越大，正向电阻越小，反之则越大。

其阻值是不固定的，在一般的检测中，锗材料二极管的正向电阻值约为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。在实际电路中，不同的电压下会有不同的阻值。

，用二极管的正极接触红表笔，负极接触黑表笔，这时屏幕上显示的就是二极管的正向电阻值，正常情况下应在500Ω-700Ω左右。

正向电阻（发光二极管正向电阻）

二极管正向导通时，它的正向电阻r =（正向压降v）/（正向电流i），其中，正向压降v 在二极管正向导通时基本不变（硅管约0.7v；锗管约0.2v）。所以，它的正向电阻r 不是不变的，它与正向电流i 的大小有关。

1、锗管：PN结的正向电阻大约500--2000Ω，反向电阻大于100kΩ；（用此法还可以判断硅管和锗管）。

2、发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω；反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关，当二极管的正向电流在变化时，二极管的正向电阻将随之微小变化，正向电流越大，正向电阻越小，反之则越大。

3、例如：小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅工极管为lkΩ或更大些。锗二极管的反向电阻为几十干欧，硅二极管的反向电阻在500kΩ以上（大功率的其值要小些）。

锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

二极管为非线性元件，其阻值是不固定的，在一般的检测中，锗材料二极管的正向电阻值约为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。

使用时可不考虑正向电阻。正向压降约为0.7V。反向电阻很大。因为二极管是非线性电阻元件，用万用表也不好测试其电阻大小。

1、二极管中，当PN结两端加正向电压（即P侧接电源的正极，N侧接电源的负极），此时PN结呈现的电阻很低，正向电流大（PN结处于导通状态）。

2、PN结的正向电压是P区接电源的正极，N区接电源的负极。PN结接正向电压时，会形成方向从P指向N的外电场，这个外电场的方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场的作用，使漂移运动和扩散运动的平衡被打破，扩散运动加强。

3、由计算可知，二极管正向电阻很小（几十欧或以下），而反向电阻很大（一般都在几百K欧以上），这两个阻值是动态变化的，与应用环境有关。结构组成二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。

4、当外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。

5、当PN结两端加正向电压（即P侧接电源的正极，N侧接电源的负极），此时PN结呈现的电阻很低，正向电流大（PN结处于导通状态）。

6、在P型半导体与N型半导体的接触面有个耗尽层，就是电子和空穴中和了，加了正向电压。

档位不同结果也不同，如果测得结果是0或是很大，则二极管坏了。黑笔接二极管负极，红笔接二极管正极测出的结果是反向电阻，一般反向电阻用最高电阻挡侧，结果为几百K以上，如果较小，则也是有质量问题不能用的。

由计算可知，二极管正向电阻很小（几十欧或以下），而反向电阻很大（一般都在几百K欧以上），这两个阻值是动态变化的，与应用环境有关。

，二极管的正向电阻和反向电阻是非线性的。2，也就是电阻值只是伏安特性的某个点。说白些，正向流过的电流越大，等效电阻越小。反向有一定的漏电流，电压越高，等效电阻越大。

但实际情况并不是这样，即使二极管在正向导通状态下也是有电阻的，这个电阻值被称为正向导通电阻，而反向的电阻也不是无穷大，只要电压和电流够大，还是可以击穿二极管的。

可以近似算出等效电阻，由datasheet可知二极管的典型正向压降及典型反向漏电流，则正向等效电阻约为：应用时的电流/正向压降；反向等效电阻约为：反向电压/漏电流。

电子技术里面运用二极管就是利用了二极管的特征，就是具有单向导电性，正向电阻越小，导电能力越好，反向电阻越大，导电能力越弱，故。。电流能通过时称正向，不能通过时称反向。