三极管导通压降的简单介绍

发布时间：2023-07-11

阅读量：170

本文目录一览：

三极管有三个状态：放大、截止和饱和。讨论三极管PN结的压降，应该先明确三极管的状态。

当三极管处于放大状态时，基极电压比发射极电压高约一下PN结压降（0.6V左右），集电极电压处于电源电压与发射极电压之间（一般来说至少比发射极电压高1V）。

三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

一只三极管是由两个PN结组成。因此，硅材料三极管需要4V以上才能导通；锗材料三极管需要0.6V以上。三极管导通后，它的压降就等于该管本身的饱和压降了ces，通常很小、只有零点几伏了。

三极管导通时，c、e间电压可低至0.1v，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。

三极管要处于放大状态，必须发射结处于正偏、集电结处于反偏。0.7V是发射结的导通电压。发射结加上1V电压，那就会产生很大的基极电流将发射结烧坏。

功率三极管的饱和导通电压比较小，大功率管的Uces在1-3V。功率场效应的饱和导通电压要稍大，通常Udss在5V以上。

大功率场效应管导通后，特性为纯阻性。普通三极管饱和导通时几乎是直通的，有一个很低的压降，称为饱和压降。

它们在开关电源内部所起作用相同，只是两种管子的驱动条件不同，晶体管的基极需要电流驱动。场效应管的栅极需要电压驱动。具体应用需要查阅相关手册。

输入电阻很高。三极管为电流控制元件，从基极输入不同的电流，就可以获得不同的集电极电流；输入电阻较小。场效应管的特性曲线与电子管相仿，因此有采用大功率场效应管制作音响的功放，以获得类似胆机的“电子管味”。

三极管导通压降的简单介绍

1、三极管导通压降0.7V，这种说法很不严谨。一般的硅三极管，发射结（BE）的导通压降是0.7V，而其他CE，BC之间未必是这个数值。

2、晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。

3、三极管的集电极和发射极之间的电流是受基极电流控制的，基极的电流大，这个电流就大，当然这是在三极管未饱和的情况下。

4、对NPN三极管来说，当基极电位比发射极高时发射结就处于正向偏置，当基极电位比集电极低时集电结处于反向偏置，如果是PNP管上述说法反过来。NPN三极管处于放大状态时电流从发射极流出，如果是PNP管从集电极流出。

1、三极管饱和时Uce压降可以达到0.1V以下，甚至更低。一般情况下，在安全值以内，Ib越大，Uce越小。

2、锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏，硅材料的的三极管工作时各结压降较高为0.3伏。晶体管的饱和压降与其导电类型无关，主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。

3、三极管饱和导通电压和通过的电流有关，以硅管举例，小功率硅管的饱和压降灾。7V左右，大功率的管子饱和压降会高些，所提供参数会出现饱和压降2V、2A的字样，意为2A电流时的饱和压降为2V。

4、饱和压降就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。压降就是：两点之间的电位差。饱和。

5、PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

6、三极管一般状态，饱和状态be间电压可认为恒定0.7v。ce之间的电压在一般状态时和饱和状态时，电压压差也应该恒定（只是饱和时和一般状态的具体值不一样，饱和时压差低一些）。

1、正向导通压降是在管子正向导通的时候，二极管两端的电压，也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压，也紶是说，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通。

2、正向导通压降是在管子正向导通的时候，二极管两端的电压，也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压，也就是说，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通。

3、压降是电压的另一种说法，导通压降就是导通电压，说电压规范些。开启电压是二极管电流从无到有变化的转折点电压，导通电压是二极管电流在线性区（电流比较大）时的电压。

4、死区电压与导通压降的区别请看图。只有当正向压降超过死区电压时二极管才有电流。