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1、电子管特性曲线,一般都是显示电子管的屏极特性曲线(放大特性),横坐标表示屏极电压Vp(v),纵坐标表示屏极电流Ip(ma),坐标轴内的几根曲线表示不同栅极偏压(工作点)时的放大性能,不同管子其特性曲线不同。
2、输出特性就是输出端的电压与电流的关系,不管是电子管,双极型晶体管,场效应管都是这个概念。这些特性以曲线方式表示,画到图上就是所谓输出特性曲线。
3、示波器利用狭窄的、由高速电子组成的电子束,打在涂有荧光物质的屏面上,就可以产生细小的光点,在被测信号作用下,电子束便可以在屏面上描绘出被测信号的变化曲线。
指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中栅极电压UGS=0时的漏源电流。UP—夹断电压。是指在结型或耗尽型绝缘栅场效应管中漏源刚好截止时的栅极电压。UT—开启电压。
这不是三极管参数,是场效应管的参数 :On Voltage——开启电压。对增强型MOSFET,当UGS升高到某一值时,场效管导通。bieakdown Voltage——夹断电压。对耗尽型MOSFET,当UGS下降到某一电压值时,场效应管关闭。
场效应管的夹断电压,就是栅极与源极的电压,从场效应管导通后,逐渐降低栅极电压,直到场效应管关断为止,此时栅极与源极的电压就是场效应管的夹断电压。
1、这两张是FU-29屏极特性曲线,一张是第二栅电压225伏,一张是第二栅电压175伏。
2、三极管的特性曲线图分为四个区:饱和区、放大区、截止区、击穿区,一般讨论比较多的是前三个区。三极管的的工作点进入饱和区,三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。
3、正向特性由图可以看出,当所加的正向电压为零时,电流为零;当正向电压较小时,由于外电场远不足以克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所造成的阻力,故正向电流很小(几乎为零),二极管呈现出较大的电阻。
4、电子管特性曲线图一般都是显示电子管的屏极特性曲线,横坐标表示屏极电压,纵坐标表示屏极电流,坐标轴内的几根曲线表示不同栅极偏压工作点时的放大性能,不同管子其特性曲线不同。
5、伏安法测小灯泡的电阻的实验结论:在电阻一定的情况下,通过电阻的电流与加在电阻两端的电压成正比;在电压不变的情况下,通过电阻的电流与电阻成反比。
6、电阻的伏安特性曲线介绍如下:伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。
特点:由栅极电压控制其漏极电流,是电压控制型器件。主要作用:放大,恒流,阻抗变换,可变电阻和电子开关等。
场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
MOS场效应晶体管通常简称为场效应管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件,和普通双极型晶体管相比拟,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性,更多内容详见飞虹微电子。
(1)转移特性:栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。(2)输出特性: UDS与ID的关系称为输出特性。(3)结型场效应管的放大作用:结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,属于电压控制型半导体器件。
场效应管是利用多数载流子导电的,而普通三极管参与导电的,双极型三极管既有多数载流子,又有少数载流子导电,而少数载流子的浓度易受温度的影响,因此,在温度稳定性、低噪声等方面前者优于后者。
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