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先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
将万用表量程开关拨在R×1k电阻挡上。对于:PNP管,令红表笔接c极,黑表笔接e极,再用手同时捏一下管子的b、c极,但不能使b、c两极直接相碰,测出某一阻值。
万用表打到响铃挡,测任意MOS管其中的两个引脚。
用万用表R×1k档或R×10k档,测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时,除漏极与源极的正向电阻值较小外,其余各引脚之间(G与D、G与S)的正、反向电阻值均应为无穷大。
若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏,用二极管档测量时,万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极(G-S两极)之间的电容充电。
可以用测电阻法测量场效应管的好坏,用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F。
加上MOS管的开启电压很低,只有零点几伏,所以此时测量D-S间导通状态就显示导通了。如果红表笔接D,黑表笔接G,则相当于给G极施加反向电压,D-S间就截止了。
示波器测电压的方法:示波器钩针接被测电压,黑色的夹子夹“被测电压的地”(使示波器和被测电压有一个公共的参考点)。示波器的探头通常有“×1”和“×10”两种衰减形式,“×1”情况下不进行衰减。
在波形图上测量到ID=0.1uA时,VGS=0.356V,那么VT(ci)=0.356V;ID=1uA时,VGS=0.467V。在波形图上测量到gm(max)=26u,此时VGS约为0.675~0.679V,就取。
如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量,FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。
先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
有两种测量阈值的方法:第一种方法是将一个栅极设置为固定的高电压偏置,然后调节另一个栅极电压;第二种方法是调节第二栅极的电压使得它与被测试栅极上的电压维持在一个固定的电压差值。
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