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可行的巧举。
S接VCC G接控制管脚，孝宴碧如果你是51类的单片机，祥液最好在GS之间接一个上拉电阻。
D就是受单片机控制了。高电平关断，低电平导通
但你不能用它来控制单片机本身
贴片场效应管AO3401中AO表示辩袜ALPHAOMEGASEMICONDUCTOR的产品。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场携带激效应管。主要有两种类型(junctionFET-JFET)和行模金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。
MOS管的跨导（gm）和反型系数（猛扰µ）是两个常见的电学参数，它们之间有如下关系：
1. MOS管的反型系数µ等于跨导gm乘以静态偏置电压Vgs：
μ = gm × Vgs
2. MOS管的反型系数µ是电流Iout（输 出电流）与输入电压Vin的比值：
μ = Iout / Vin
根据这两个公式，可以得出MOS管的跨导（gm）和反型系数（µ）之间的关系：
gm = µ / Vgs × Iout / Vin
从这个公式可以看出，MOS管的跨导和反型系数是相关的，但是在具体应用时，要根据实际需要选择合适的电性能参春仿数来使用。通常情况下，MOS管的跨导越大，扒知纤能够实现更好的性能表现，但它同时也可能会增加功耗或者噪声等问题；而反型系数则反映MOS管的能量效率，在电路的设计和优化中也非常重要。
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导衡悔体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。
mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。
场效应管
简介
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 -
氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
特点
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路锋拦困的电压放大系数；
场效应管的抗辐射能力强；
由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
作用
场效应管可应用于放大。由银念于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应管可以用作可变电阻。
场效应管可以方便地用作恒流源。
场效应管可以用作电子开关。
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