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应用于蓝牙耳机的RTL8763和sy7636的方案,性价比高,稳定性好!优势:同样是大牌子MOS管,萨科微更有价格优势;萨科微市场竞争力强。
BTA16-600B,BT138-600D等都是可以使用的。目前应用于家电、工控等行业,经过多年市场证明产品已成熟。
现在来说MOS管分为几大系列:美系、日系、韩系、台系、国产。
1、为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管,但会使β值减小,影响电路的工作性能。
2、如果你用的是普通51单片机,建议你用PNP的三极管,因为单片机灌电流能力比较强,一般可达20mA,而拉电流通常只有几十微安,所以设计成灌电流比较好,我常用2N5401的PNP三极管。
3、二极管选用1N4007,三极管选用TIP41C,MOSFET场效应管选用IRFP350,电流可达30A。输入电压48v,则保护电路上的基准电压大致为0.9V,只要取样电阻0.1欧上的电压大于0.9V,就会产生过流保护。
4、mos管和三极管只要器件参数(工作频率和toff和ton等)选择合理,驱动电路设计恰当,都可以保证其低功耗,考虑到三极管的驱动级电路功耗及复杂性,还是mos管优选。
5、BVCEO是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电极电流,这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。
选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。
选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外,还应选择合适的电压和电流容量,以适应实际应用的需求。
Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择,选择依据如下:首先,确定降压电路的最大输入电压,MOS管的耐压,需大于等于3倍以上输入电压,确保MOS管不会被击穿。
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