mos管电阻（mos管电阻多大）

发布时间：2023-07-13

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.47---1 殴不等，实在看不出的话，也可取0.68殴。

欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。

大功率mos管(不仅仅是irfp4468)在开通和关断时基本不需要多大栅极电流，因为只是给寄生电容（P法级）充放电而已，栅极电阻倒是必要的，几百欧姆足以。

mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。

mos管电阻（mos管电阻多大）

电阻。根据信息查询得到，处于饱和区的时候，mos管的沟道电阻为正温度系数，温度越高电阻越大，所以MOS管电流随温度下降。VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越大，温度和电流形成正反馈。

你说的恒流区是指的饱和区吧，MOS管的线性区又叫三极管区，在这个区域里工作时，MOS器件的导通电阻很小，算是低阻状态，常用作开关的导通态。当其工作于饱和区时，由于漏电流与栅电压的线性关系，常用作信号放大使用。

mos管的线性区就是可变电阻区，其阻抗与栅压成反比；mos管的饱和区是放大区，其电流电压曲线如三极管的放大区。

如果你的目的是让LED发光，那么这里MOS的作用就是开关了，做开关导通的时候，MOS工作于线性区，并不是说一导通就是饱和；他有截止，线性，饱和3中状态。

你看这张图片，你就知道了，和你的理解刚好相反。有源导通区应该指饱和区，而线性导通区是非饱和区。

在这个区域内，MOSFET的电流—电压关系有如一个线性方程式，因而称为线性区。饱和区(saturation region) 当VGSVth、且VDSVGS-Vth，这颗MOSFET为导通的状况，也形成了通道让电流通过。

1、mos输入端通过电阻接地的电阻值应为4k~6k之间不能多出这个范围之内，通过电阻接电的电阻值应该就在这个范围之内，希望对你有帮助，谢谢。

2、欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。

3、一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻。

用测电阻法判别无标志的场效应管：首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。

粗略测量：设计一个电阻串联MOSFET的电路，给一个恒压源。

先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。

MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数；如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。