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三极管的电压大小如何判断
三极管有三种工作状态,以集电极串联2K电阻为例说明。 一、截止状态,b极电压渗闹小于0.6v,c极无电流,电压和供电端相等。 二、放大状态,b极电压0.6v--0.7v,c极电压大于0v,但又小于供电丛丛罩电压,最好是电源电压的2/3。 三、饱和状态,b极电压0.7v,c极电压0v。 1、测Veb:硅三极管:0.7V;锗三极管0.2V-0.3V; 2、测Vc;有信号输入及集电极有负载电阻时,Vc小于电源电压;然后将B、E两极短路再测Vc,这时Vc等于电源电压;(B、E两极短路后Vc仍小于电源电压,CE极击穿)! ! ! ! 这个不是判断出来的! 需要查手册(或网上找参数),手册中的Vce就表示该管的最大耐压值。
电路中VT是晶体三极管类半导州态体元件，
那到底是PNP,还唯中是NPN，可以看发射极的箭头，
箭头向里的是PNP；箭头向外的是NPN。
见图册山源：
有两个基本点你没太明白：
第一，是这个电流放大作用。电嫌御流从哪庆肢里来，又到哪里去了呢？电流并不会凭空产生，它是来自于电源。这个电流放大作用的实质是电流的控制作用。
第二，任何实际电路的参数都是有极限的，不可能你想多大就有多大。
这个三极管其誉者世作用就相当于一个水龙头。电流就是水流。当你把水龙头完全打开后，水会无限的大吗？这就是三极管的饱和状态。
PNP晶体管是另一种类型晶体陵空旅管。它的工作原理和NPN晶体管相似，只是在基区运动并放大信号的多数载流子是空穴而不是电子。PNP晶体管的发射结要正偏，基区的电压要比发射区的电压要低，而集电极要是多数载流子空穴通过，集电区的电压要比基区的要低。这一点和NPN晶体管的极间电位正好相反。在双极模尺凳拟集成电路中要应用NPN-PNP互补设计以及某亏漏些偏置电路极性的要求，需要引入PNP结构的晶体管。如横向PNP管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。它的制作可与普通的 NPN管同时进行，不需附加工序。在横向PNP管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向 PNP管。纵向PNP管其结构以P型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。N型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。
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