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相加。内部集成两个慧者mos管串联是指是这两清碧迟个mos的总和，两个MOS电答李流是相加。mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。
这个电路一般是5v和锂电池电源之间切换用的。如果用二极管隔开两个电源，压降太大。所御册春以就用mos管代替二极管。但是mos管有一个问镇耐题，就是内部集成了一个续流二极管，你分析一下电路就知道了，如果只用一个pmos的话，5v的电压会经过mos管直接流姿告进锂电池中。解决的问题的办法只能是两个pmos管反相串联，这样就阻断了5v电压。不知道我说明白没有。
你没有仔细看手册啊……
DSG管脚是输出管脚，但是CHG管脚是输入输出管脚，要考虑输入的。所迟并以唤配加一级小的PMOS管，一方面防止因为各种原码链迹因导致输入电压低于Vss，另一方面配合R2确保Q1处于关断状态。
假设此卖两个管子参数一样。并联时，各点的电压对应相等，两管子电流相等，由电流的表达式知道总的电流等于同样的电压下2W/L的管森培逗子的电流。
串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根中困据电流相等的条件列出两个电流表达式，然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。
简单解释一下吧，MOS管有首厅三个脚，两个MOS管串联，雹洞一个开一个关是截止的，一个关一个通是截止的，连个关是截止的，只有两个同时开或者同事关才是导通的。
正向的时者肆隐候是两个同时开或者同时关，
反向的时候是一个开一个关，就能起到防反充。
1.你图中这个电路在工作电压较高时比较常见。
下面晶体管采用正常驱动。上面晶体管可以理解为栅极加浮动高压的源极驱动方式。
这种源极驱动方式在某些低压应用也会偶尔见到。我记得仙童最近出的几款芯片有类似应用。
这种电路没有均压功能，但由于mosfet不会出现二次击穿，故不会影响可靠性。
上管的浮动驱动高压必须低于下管的VDS耐压值，否则下管电应力会超标。
虽然原理上讲可以使用更多的mosfet串接起来达到更高的工作电压，但实际产品通常只有两只串联的。
两只mosfet尽量选取特性一致的，且乱让单只耐压大渣姿于总VDS的如陪绝一半，悬浮高压略低于VDS的一半。
这种电路的优点是驱动电路简单，占空比可以从0~100%。
2.用隔离变压器驱动的电路我见过实物有6只mosfet串起来工作的。
优点当然就是可以工作在更高的电压。缺点是驱动变压器设计和绕制会有点麻烦。
而且占空比不能为0或100%。
即便占空比不是0和100%也要考虑因占空比变化引起的正负峰值的偏移。
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