mos管高低电平有效（mos管的平台电压）

发布时间：2023-07-14

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可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通。如果箭头指向栅极，那么MOS管就是高电平导通。如果箭头未指向栅极，那么MOS管就是低电平导通。

MOS管PDF中都有一个Vth的参数，这个参数是MOS开通的门限电压，当MOS管GS两端电压低于此电压时为低，高于此电压时开始导通，当高于Vmiller（这个PDF中不一定有）电压后完全导通。

电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

它这里如果说了低电平的话，那输入的电压肯定就是低电平的范围，数字电路里面高低电平的范围是严格划分开的，既然前面说了4v是高电平，那4v存在在高电平的范围里面，而基极给低电平那么三极管发射极绝对是正偏的。

这时候如果NMOS管的开启电压3V，则NMOS管导通，把电位拉低。如果是P管，S级接电源，只要G极电压低于S级电压，就形成导电沟道。

看电路图的箭头是指向哪里，箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。场效应管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。

简单的说，mos管通过g端的电平来控制d与s端的导通，就像开关一样（g为按键，d与s分别为两边连线）。N、P型的区别，就是一个为正电压启动(NMOS)，一个为负电压启动(PMOS)。

放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。

是NMOS高电平导通，PMOS低电平导通。图中所示，从TP1和TP2来看，L=A非·B非=(A+B)非；从TN1和TN2来看，L=(A+B)非。

mos管导通和截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

mos管高低电平有效（mos管的平台电压）

根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。