可控硅温升（可控硅温升测试方法）

发布时间：2023-07-15

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1、BTA16-600B，采用TO-220AB 封装方式。

2、工作电流：26A；工作电压：600V；控制极电流35-50毫安；产品封装：TO-220；脚位排列：T1-T2-G(A1-A2-G)，A1主电极，A2主电极，G门极。

3、总结上述每个型号的对比：BT138 600E一般不能代替，你用BTA16 600B安装散热绝缘和非绝缘是否影响电路正常工作，不影响BT136 600E可以代替。

1、可控硅的发热与负载的大小有关系的，负载越重，电流就越大，发热就越严重。

2、电路中可控硅发烫冒烟功率放大，过载能力差，温度升高，散热慢。

3、可控硅有导通压降，发热量大小和导通压降和电流有关系。

4、铺铜，铜上再露网格状铜，网格的线条弄宽一些，譬如2mm，露铜的地方再上锡，这样的散热效果就会好些了。烤盘的功率怎么也有上千瓦吧，可控硅要选电流更大一点的。

5、可控硅调压器调压电位器会发微热是因为本身功率不足。用单向可控硅调压，变压器因为有直流成分而发热，用额定功率足够的双向可控硅调压器，变压器是不应发热的，调压电位器模块发热，是因为本身功率不足。

6、你好：——★加热丝负载电路中，双向可控硅输出的电流受输出电压控制，符合欧姆定律的。——★加热丝工作时电流突然变大，烧坏，这是双向可控硅输出的电源突然升高所致：触发电路发生了失控。

可控硅温升（可控硅温升测试方法）

1、你好，回路中的可控硅的导通压降不可以超过1V，否则器件温升快而导致热击穿。另外，楼主所述的现象应该是控制方面的问题，即可控硅关不死。可在可控硅阳、阴极间加一只电容（391/1KV）试试。

2、正传停车后，没有续流会产生高压，这是你有开启反转，高压打火。建议你把停车的延时在多些，从3S开始试，逐渐2S、5S、1S、700mS。。

3、而单相感应电机如用可控硅调压后，波形变了，是变切割后的正弦波，对电机的电性能影响很大，所以并不适合功率大，起动力矩大的调速场合。这些场合用变频器是不错的选择。

可控硅的最高允许温度约120左右吧，记得不太清了，超过则可能失控变成完全导通不受控制。

一般的最高工作结温是125度，但是达到125度可控硅就已经给热击穿了。温度越高可控硅可工作电流就越少。首先要结合你产品发热温度再加上可控硅本身的发热温度。低于最高工作结温就是可控硅允许的温升。

负载应该放在220V的相线上，然后再到可控硅的阳极，经过阴极到零线。这样才能保证无附加电源时的可控硅可靠工作。

大容量电容放大电流给可控硅触发极（超过规定）从而会把可控硅管击穿损坏。

逆变器在输出的时候，可控硅是用来稳压稳流的，如果不同配置的逆变器，需要相对应的可控硅，把可控硅换大了，这种烧灯泡的情况，说明电流电压也变大了。使用过程中需注意安全。如果测试最好用1000W钨丝灯管测试。

可控硅没有放大作用，只有开关作用。逆变器完全可以实现电压变化，升降都可以，整流是交流变直流，用到半导体的单向导电性，逆变则相对比较复杂，是用半导体开关元件把直流变成交流，再经变压器变压完成逆变。