背照式传感器（堆栈式传感器和背照式传感器）

本文目录一览：

• 1、尼康z50是背照式传感器吗
• 2、背照式CMOS究竟好在哪儿
• 3、背照式摄像头是什么意思
• 4、整天都说背照式 究竟什么是背照式CMOS
• 5、背照式传感器光线通过衬层吗

尼康z50是背照式传感器吗

是的。

尼康z50为背照式CMOS传感器，所以是背照式传亏凳感器。

尼康Z50（NikonZ50）是日本尼康公司于2019年困空陆发布的一款紧凑型数码无反光镜可换镜头相机。产品于2019年11月22日正式在中国大陆地区上市汪顷销售。

背照式CMOS究竟好在哪儿

背照式CMOS的优缺点

与普通CCD传感器相比，背照式CMOS传感器通过向没有布线层的一面照射光线从而避免了金属线路和晶体管的阻碍。()

更具体地说，它是将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层“挡住了”一部分光线。 如此一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高（提高近100%），即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。

与以往1.75μm像素间隔的传统传感器相比，背照式CMOS

传感器在灵敏度（S/N）上具有很大优势，感光能力号称是过去同尺寸传感器的两倍。

正是由于背照式CMOS传感器的这些优势，搭载了此款产品的数码相机通常具有以下优势：

1：拥有更高的宽容度（可以被理解为高光部分不容易溢出、而低光部分不容易欠曝）

2：拥有更快的数据吞吐率（通常都支持高速连拍、甚至全高清视频拍摄） 3：拥有更佳的低光照成像能力（高感光度下的成像表现大大优于传统产品） 所以，背照式CMOS就当前在数码相机行业来说，已经足以被当作是“高画质”的代名词了。

省电，高速连拍CMOS比CCD好。貌似iphone4就是用的背照式CMOS，拍出来的照片效果还算可以

相机的本质价值就在于把我们人眼能看到的景象转化成可以保存欣赏的平面图像，把辗转即逝的瞬间变成永恒。在另一个角度来看，这是一种能量流动的方式，相机所做的工作就是将光能转化到介质上转化为信息存储起来。

其中胶片相机成像是依靠卤化银晶体的化学特性，即遇光就会发生化学变化，再通过冲洗等一系前郑列过程得到影像，具体的细节本文不展开。

科技发展到了数码化的时代，照片的存储最终是以数字的格式，即是一连串的数值组成的文件。那究竟从自然界的光到数码图片文件，中间要经过怎么样的处理过程呢？

背照式cmos 背照式CMOS的优缺点

数码照片是一些电路和软件计算出来的结果

照片要以数码的方式来表现，一个非常重要的步骤就是量化，也就是说我们需要将自然界的景象转换成一种可以用数值精确衡量的方式来表达。［］实际上量化过程的核心部件是影像传感器，它可以将传到它身上的不同强弱、不同颜色的光线，通过转化成可以感光二极管(photodiode)进行光电转换成电荷或者是电压信息，整个图像传感器点阵上所有的信息出来再到处理芯片生成数字格式的图片。

CCD传感器和CMOS传感器

而现在普遍使用的两种图像传感器就是大家经常听说到的CMOS和CCD传感器了，为了让大家最终更好地认识背照式CMOS传感器，小编在此也简单说一下两种传感器的异同以及优缺点。如下图所示，左边为CCD传感器的结构，右边的为CMOS传感器的机构，黄色的小方块为像素点。由图示可以看出，CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中，由最底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器进行放大输出；而在CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。简单说就是对待单个像素点上得到的电荷数据有不同方法，CCD是全部传输出来再统一处理，CMOS是先分别处理在传出来。这两种方式并不是人们凭空想象出来的，而是由CCD和CMOS的制作工艺决定的，因为CMOS器件内传输数据会有较高的失真，所以需要先做处理。

背照式cmos 背照式CMOS的优缺点

CCD传感器和CMOS传感器的不同

正是由于两种传感器处理过程的不同，所以在早期，CMOS影像传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面都比CCD要差，但优势在于具有低成本、低功耗、以及高整合度的特点，特别适合在像素数提升上有较多的文章可以做。(］因此，最近几年芯片级的厂家都放了帆悔晌非常多的精力在CMOS传感器上，以致现在CMOS传感器在市场终端产品上占据了非常高的份额，特别是数码相机方面。

背照式CMOS传感器基本原理

时间推进到了08年6月，索尼公司发布了背照式CMOS，并冠以Exmor R名称，并且首先用在数款DV产品上。背照式CMOS影像从此开始快速发展，至今已有多个芯片厂商发布了该类型的产品，越来越多数码影像设备采用了此技术，接下来小编就详细讲讲此项技术的特点。

背照式CMOS传感器最大的优化之处就是将元件内部的结构改变了，即将感光层的元态锋件调转方向，让光能从背面直射进去，避免了传统CMOS传感器结构中，光线会受到微透镜和光电二极管之间的电路和晶体管的影响，从而显著提高光的效能，大大改善低光照条件下的拍摄效果。

背照式cmos 背照式CMOS的优缺点

背照式CMOS传感器物理结构图

背照式CMOS传感器的具体结构如上图所示（源自索尼资料，其他芯片厂家的产品可能在细节上有不同，但大体意思是相同的），橙色的为光线路，黄色线为受光面。（）左边的传统式，明显看到光线通过微透镜后还需要经过电路层才能到达受光面，中途光线必然会遭到部分损失（包括被阻挡或被减弱）。背照式CMOS传感器的元件则不同，在改变了结构后，光线通过微透镜后就可以直接到达感光层的背面，完成光电反应，从进光量上改善了感光过程 然后我们更细一点分析，由于中间没有阻隔，背照式CMOS传感器的感光面离微透镜更近了，也就是说光线的入射角度和覆盖的面都能得到优化，感光元件就有可能输出更为优秀的信号。

综合以上的因素，背照式CMOS传感器比传统CMOS传感器在灵敏度会上有质的飞跃，结果就是在低光照度下的对焦能力和画质有极大的提升。

为何这么迟才推出背照式CMOS？

为何看上去如此简单的改进是在传统CMOS传感器出现这么久才被制造出来呢？其实科学家们大概在20年之前就想到了，只是因为结构调整后的背照式CMOS传感器对电子器件的生产工艺和微处理技术的要求非常高，因为此技术要求承载二极管的基板要非常薄，大概是传统正照式CMOS传感器基板厚度的1/100。因此，芯片厂家在内功不够的时候勉强做背照式CMOS传感器必然会导致得不偿失，可能会导致更多的噪点产生。

背照式cmos 背照式CMOS的优缺点

背照式CMOS传感器生产过程

新型的背照式CMOS传感器还有什么优点？

新型背照式CMOS传感器得益于电子器件的制作工艺升级，至少在两个方面有提升。［)第一个是在传感器上的微透镜性能更为提升，以致经过微透镜后的光，入射到感光面上的角度更接近垂直，而且微透镜产生的色散，眩光等不良效果会减弱，让最终到达传感器感光面的光较传统的好。第二就是在大像素下依旧具有高速的处理能力，这一点归根到底是对比CCD传感器而言的。CCD传感器是需要将各像素点的电荷数据传输出来统一处理，所以在像素大的时候速度比较难提高，如果强行提高处理的带宽就会造成噪点的增加。而CMOS传感器在每一个像素点上都已经将电荷转化成了电压数据，在提高大像素帧率上有比较大的空间。 不过这两个优点并非被照式CMOS传感器特有，是当今新款的CMOS传感器普遍都能做到的，这就是为什么越来越多数码相机采用CMOS传感器了，毕竟大像素和高速的性能会直接影响最终消费者的选择。

用上背照式CMOS传感器画质就会好了吗？

既然背照式CMOS传感器这么厉害，是不是说配备了了它的数码相机拍照就很牛了呢？其实不是，决定数码照片的画质除了核心部件传感器外，还有镜头以及处理算法等因素。镜头的因素大家应该都容易理解，因为光线到达传感器之前是要通过镜头。而各型号的相机使用的镜头不尽相同，具体的质素也当然会有差异。另外一个就是数据处理的方面，因为从传感器出来的数据还是要经过数码相机内部的处理器来进行处理才能得到最终的照片数据（能输出RAW格式的相机除外），换句话说就是有了原始材料，还需要做润色才能出成品。这部分就要看各个厂家的图像处理算法了，这就好比不同厨师会用的烹调方法来处理食材一样，最终的图片就会用不同的质量，不同的风格。

背照式cmos 背照式CMOS的优缺点

对比装备了背照式CMOS传感器的相机和其他相机的各档位ISO画质，大体的结论是在低ISO的时候，两者相差不大，但在高ISO时候的确有一定的提升。（]另外值得提及的一点就是，装备了背照式CMOS传感器的相机在低光环境的对焦能力大大加强，这是一个非常重要的提升。

总结：至今，已经有多家芯片生产厂家已经宣布了自己的背照式CMOS传感器产品，而接下来将会有更多的影响产品采用背照式CMOS传感器，其中包括苹果公司最新发布的

iphone 4代手机。本文介绍了背照式CMOS传感器的一些基本原理以及解惑了一些常见问题，希望对各位准备购买数码相机的网友有实际的帮助

索尼绝技外流 背照式CMOS大普及

看起来在第一种实用化的电子影像传感器诞生的第40个年头里，它的后辈们正在加速这个家族的发展速度：特别是背照射式影像传感器，这种源自天价的天文摄影用CCD的技术，正在随着CMOS制作工艺的成熟而进入普通消费者的视野：

东芝的背照式CMOS结构图

今年早些时候，索尼首先将自己的背照式CMOS：Exmor R CMOS装在了自家的WX1和TX1两款便携式数码相机上，试水市场。从目前的情况来看，新技术确实激发了购买者的热情。

背照式cmos 背照式CMOS的优缺点

东芝的表面照射型CMOS结构图

附：东芝新型BSI（背照射式）CMOS的主要技术特征：1460万像素，1/2.3英寸大小，像素间距1.4微米，采用65nm半导体工艺，灵敏度比现有同画幅传感器提升40%。［］新传感器的月产量最大50万片，预计2010年下半年投入批量生产。

人们原以为索尼会借着这个暂时的优势，恢复其在数码相机市场昔日的辉煌。不过现在情况发生了变化——日本的另一个重要的第三方影像传感器提供商东芝，今日已经向外界公布了其研发的背照式CMOS传感器，这是也是目前全球范围内第三个宣布能够量产面对消费市场的背照式CMOS的厂商！

此前索尼提供的其Exmor R背照式CMOS的结构简图

背照式cmos 背照式CMOS的优缺点

索尼已经开始在其消费级DC和DV上广泛应用其自产的小尺寸背照式CMOS，不过东芝

等日系厂商很可能在较短的时间内追赶上来

对于索尼来说，这个消息的不利因素在于，不排除东芝会将传感器出售给其传感器市场的潜在用户或者相机领域的竞争对手，无论是哪一种情况，对于索尼来说都是巨大的压力。［）

可以预见的是，如果更多的厂商加入到这场新型影像传感器（无论是CCD还是CMOS）革命的大潮中来，那么消费者手中的数码相机产品的大规模更新换代也是可以预见的了。 新型的背照式CMOS传感器还有什么优点？

新型背照式CMOS传感器得益于电子器件的制作工艺升级，至少在两个方面有提升。第一个是在传感器上的微透镜性能更为提升，以致经过微透镜后的光，入射到感光面上的角度更接近垂直，而且微透镜产生的色散，眩光等不良效果会减弱，让最终到达传感器感光面的光较传统的好。第二就是在大像素下依旧具有高速的处理能力，这一点归根到底是对比CCD传感器而言的。CCD传感器是需要将各像素点的电荷数据传输出来统一处理，所以在像素大的时候速度比较难提高，如果强行提高处理的带宽就会造成噪点的增加。而CMOS传感器在每一个像素点上都已经将电荷转化成了电压数据，在提高大像素帧率上有比较大的空间。 不过这两个优点并非被照式CMOS传感器特有，是当今新款的CMOS传感器普遍都能做到的，这就是为什么越来越多数码相机采用CMOS传感器了，毕竟大像素和高速的性能会直接影响最终消费者的选择。

对比装备了背照式CMOS传感器的相机和其他相机的各档位ISO画质，大体的结论是在低ISO的时候，两者相差不大，但在高ISO时候的确有一定的提升。另外值得提及的一点就是，装备了背照式CMOS传感器的相机在低光环境的对焦能力大大加强，这是一个非常重要的提升。 总结：至今，已经有多家芯片生产厂家已经宣布了自己的背照式CMOS传感器产品，而接下来将会有更多的影响产品采用背照式CMOS传感器，其中包括苹果公司最新发布的

iphone 4代手机。本文介绍了背照式CMOS传感器的一些基本原理以及解惑了一些常见问题，希望对各位准备购买数码相机的网友有实际的帮助。

背照式cmos 背照式CMOS的优缺点

[)

篇二 : 背照式CMOS传感器即将上市

篇三 : 背照式CMOS的优缺点

背照式CMOS的优缺点

与普通CCD传感器相比，背照式CMOS传感器通过向没有布线层的一面照射光线从而避免了金属线路和晶体管的阻碍。

更具体地说，它是将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层“挡住了”一部分光线。 如此一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用，开口率得以大幅度提高（提高近100%），即便是小尺寸的影像传感器，也能获得优良的高感光度能力。

与以往1.75μm像素间隔的传统传感器相比，背照式CMOS

传感器在灵敏度（S/N）上具有很大优势，感光能力号称是过去同尺寸传感器的两倍。

正是由于背照式CMOS传感器的这些优势，搭载了此款产品的数码相机通常具有以下优势：

1：拥有更高的宽容度（可以被理解为高光部分不容易溢出、而低光部分不容易欠曝）

2：拥有更快的数据吞吐率（通常都支持高速连拍、甚至全高清视频拍摄） 3：拥有更佳的低光照成像能力（高感光度下的成像表现大大优于传统产品） 所以，背照式CMOS就当前在数码相机行业来说，已经足以被当作是“高画质”的代名词了。

省电，高速连拍CMOS比CCD好。貌似iphone4就是用的背照式CMOS，拍出来的照片效果还算可以

相机的本质价值就在于把我们人眼能看到的景象转化成可以保存欣赏的平面图像，把辗转即逝的瞬间变成永恒。在另一个角度来看，这是一种能量流动的方式，相机所做的工作就是将光能转化到介质上转化为信息存储起来。

其中胶片相机成像是依靠卤化银晶体的化学特性，即遇光就会发生化学变化，再通过冲洗等一系列过程得到影像，具体的细节本文不展开。

科技发展到了数码化的时代，照片的存储最终是以数字的格式，即是一连串的数值组成的文件。那究竟从自然界的光到数码图片文件，中间要经过怎么样的处理过程呢？

数码照片是一些电路和软件计算出来的结果

照片要以数码的方式来表现，一个非常重要的步骤就是量化，也就是说我们需要将自然界的景象转换成一种可以用数值精确衡量的方式来表达。实际上量化过程的核心部件是影像传感器，它可以将传到它身上的不同强弱、不同颜色的光线，通过转化成可以感光二极管(photodiode)进行光电转换成电荷或者是电压信息，整个图像传感器点阵上所有的信息出来再到处理芯片生成数字格式的图片。

CCD传感器和CMOS传感器

而现在普遍使用的两种图像传感器就是大家经常听说到的CMOS和CCD传感器了，为了让大家最终更好地认识背照式CMOS传感器，小编在此也简单说一下两种传感器的异同以及优缺点。如下图所示，左边为CCD传感器的结构，右边的为CMOS传感器的机构，黄色的小方块为像素点。由图示可以看出，CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中，由最底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器进行放大输出；而在CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。简单说就是对待单个像素点上得到的电荷数据有不同方法，CCD是全部传输出来再统一处理，CMOS是先分别处理在传出来。这两种方式并不是人们凭空想象出来的，而是由CCD和CMOS的制作工艺决定的，因为CMOS器件内传输数据会有较高的失真，所以需要先做处理。

CCD传感器和CMOS传感器的不同

正是由于两种传感器处理过程的不同，所以在早期，CMOS影像传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面都比CCD要差，但优势在于具有低成本、低功耗、以及高整合度的特点，特别适合在像素数提升上有较多的文章可以做。因此，最近几年芯片级的厂家都放了非常多的精力在CMOS传感器上，以致现在CMOS传感器在市场终端产品上占据了非常高的份额，特别是数码相机方面。

背照式CMOS传感器基本原理

时间推进到了08年6月，索尼公司发布了背照式CMOS，并冠以Exmor R名称，并且首先用在数款DV产品上。背照式CMOS影像从此开始快速发展，至今已有多个芯片厂商发布了该类型的产品，越来越多数码影像设备采用了此技术，接下来小编就详细讲讲此项技术的特点。

背照式CMOS传感器最大的优化之处就是将元件内部的结构改变了，即将感光层的元件调转方向，让光能从背面直射进去，避免了传统CMOS传感器结构中，光线会受到微透镜和光电二极管之间的电路和晶体管的影响，从而显著提高光的效能，大大改善低光照条件下的拍摄效果。

背照式CMOS传感器物理结构图

背照式CMOS传感器的具体结构如上图所示（源自索尼资料，其他芯片厂家的产品可能在细节上有不同，但大体意思是相同的），橙色的为光线路，黄色线为受光面。左边的传统式，明显看到光线通过微透镜后还需要经过电路层才能到达受光面，中途光线必然会遭到部分损失（包括被阻挡或被减弱）。背照式CMOS传感器的元件则不同，在改变了结构后，光线通过微透镜后就可以直接到达感光层的背面，完成光电反应，从进光量上改善了感光过程 然后我们更细一点分析，由于中间没有阻隔，背照式CMOS传感器的感光面离微透镜更近了，也就是说光线的入射角度和覆盖的面都能得到优化，感光元件就有可能输出更为优秀的信号。

综合以上的因素，背照式CMOS传感器比传统CMOS传感器在灵敏度会上有质的飞跃，结果就是在低光照度下的对焦能力和画质有极大的提升。

为何这么迟才推出背照式CMOS？

为何看上去如此简单的改进是在传统CMOS传感器出现这么久才被制造出来呢？其实科学家们大概在20年之前就想到了，只是因为结构调整后的背照式CMOS传感器对电子器件的生产工艺和微处理技术的要求非常高，因为此技术要求承载二极管的基板要非常薄，大概是传统正照式CMOS传感器基板厚度的1/100。因此，芯片厂家在内功不够的时候勉强做背照式CMOS传感器必然会导致得不偿失，可能会导致更多的噪点产生。

背照式CMOS传感器生产过程

新型的背照式CMOS传感器还有什么优点？

新型背照式CMOS传感器得益于电子器件的制作工艺升级，至少在两个方面有提升。第一个是在传感器上的微透镜性能更为提升，以致经过微透镜后的光，入射到感光面上的角度更接近垂直，而且微透镜产生的色散，眩光等不良效果会减弱，让最终到达传感器感光面的光较传统的好。第二就是在大像素下依旧具有高速的处理能力，这一点归根到底是对比CCD传感器而言的。CCD传感器是需要将各像素点的电荷数据传输出来统一处理，所以在像素大的时候速度比较难提高，如果强行提高处理的带宽就会造成噪点的增加。而CMOS传感器在每一个像素点上都已经将电荷转化成了电压数据，在提高大像素帧率上有比较大的空间。 不过这两个优点并非被照式CMOS传感器特有，是当今新款的CMOS传感器普遍都能做到的，这就是为什么越来越多数码相机采用CMOS传感器了，毕竟大像素和高速的性能会直接影响最终消费者的选择。

用上背照式CMOS传感器画质就会好了吗？

既然背照式CMOS传感器这么厉害，是不是说配备了了它的数码相机拍照就很牛了呢？其实不是，决定数码照片的画质除了核心部件传感器外，还有镜头以及处理算法等因素。镜头的因素大家应该都容易理解，因为光线到达传感器之前是要通过镜头。而各型号的相机使用的镜头不尽相同，具体的质素也当然会有差异。另外一个就是数据处理的方面，因为从传感器出来的数据还是要经过数码相机内部的处理器来进行处理才能得到最终的照片数据（能输出RAW格式的相机除外），换句话说就是有了原始材料，还需要做润色才能出成品。这部分就要看各个厂家的图像处理算法了，这就好比不同厨师会用的烹调方法来处理食材一样，最终的图片就会用不同的质量，不同的风格。

对比装备了背照式CMOS传感器的相机和其他相机的各档位ISO画质，大体的结论是在低ISO的时候，两者相差不大，但在高ISO时候的确有一定的提升。另外值得提及的一点就是，装备了背照式CMOS传感器的相机在低光环境的对焦能力大大加强，这是一个非常重要的提升。

总结：至今，已经有多家芯片生产厂家已经宣布了自己的背照式CMOS传感器产品，而接下来将会有更多的影响产品采用背照式CMOS传感器，其中包括苹果公司最新发布的

iphone 4代手机。本文介绍了背照式CMOS传感器的一些基本原理以及解惑了一些常见问题，希望对各位准备购买数码相机的网友有实际的帮助

索尼绝技外流 背照式CMOS大普及

看起来在第一种实用化的电子影像传感器诞生的第40个年头里，它的后辈们正在加速这个家族的发展速度：特别是背照射式影像传感器，这种源自天价的天文摄影用CCD的技术，正在随着CMOS制作工艺的成熟而进入普通消费者的视野：

东芝的背照式CMOS结构图

今年早些时候，索尼首先将自己的背照式CMOS：Exmor R CMOS装在了自家的WX1和TX1两款便携式数码相机上，试水市场。从目前的情况来看，新技术确实激发了购买者的热情。

东芝的表面照射型CMOS结构图

附：东芝新型BSI（背照射式）CMOS的主要技术特征：1460万像素，1/2.3英寸大小，像素间距1.4微米，采用65nm半导体工艺，灵敏度比现有同画幅传感器提升40%。新传感器的月产量最大50万片，预计2010年下半年投入批量生产。

人们原以为索尼会借着这个暂时的优势，恢复其在数码相机市场昔日的辉煌。不过现在情况发生了变化——日本的另一个重要的第三方影像传感器提供商东芝，今日已经向外界公布了其研发的背照式CMOS传感器，这是也是目前全球范围内第三个宣布能够量产面对消费市场的背照式CMOS的厂商！

此前索尼提供的其Exmor R背照式CMOS的结构简图

索尼已经开始在其消费级DC和DV上广泛应用其自产的小尺寸背照式CMOS，不过东芝

等日系厂商很可能在较短的时间内追赶上来

对于索尼来说，这个消息的不利因素在于，不排除东芝会将传感器出售给其传感器市场的潜在用户或者相机领域的竞争对手，无论是哪一种情况，对于索尼来说都是巨大的压力。

可以预见的是，如果更多的厂商加入到这场新型影像传感器（无论是CCD还是CMOS）革命的大潮中来，那么消费者手中的数码相机产品的大规模更新换代也是可以预见的了。 新型的背照式CMOS传感器还有什么优点？

新型背照式CMOS传感器得益于电子器件的制作工艺升级，至少在两个方面有提升。第一个是在传感器上的微透镜性能更为提升，以致经过微透镜后的光，入射到感光面上的角度更接近垂直，而且微透镜产生的色散，眩光等不良效果会减弱，让最终到达传感器感光面的光较传统的好。第二就是在大像素下依旧具有高速的处理能力，这一点归根到底是对比CCD传感器而言的。CCD传感器是需要将各像素点的电荷数据传输出来统一处理，所以在像素大的时候速度比较难提高，如果强行提高处理的带宽就会造成噪点的增加。而CMOS传感器在每一个像素点上都已经将电荷转化成了电压数据，在提高大像素帧率上有比较大的空间。 不过这两个优点并非被照式CMOS传感器特有，是当今新款的CMOS传感器普遍都能做到的，这就是为什么越来越多数码相机采用CMOS传感器了，毕竟大像素和高速的性能会直接影响最终消费者的选择。

对比装备了背照式CMOS传感器的相机和其他相机的各档位ISO画质，大体的结论是在低ISO的时候，两者相差不大，但在高ISO时候的确有一定的提升。另外值得提及的一点就是，装备了背照式CMOS传感器的相机在低光环境的对焦能力大大加强，这是一个非常重要的提升。 总结：至今，已经有多家芯片生产厂家已经宣布了自己的背照式CMOS传感器产品，而接下来将会有更多的影响产品采用背照式CMOS传感器，其中包括苹果公司最新发布的

iphone 4代手机。本文介绍了背照式CMOS传感器的一些基本原理以及解惑了一些常见问题，希望对各位准备购买数码相机的网友有实际的帮助。

背照式摄像头是什么意思

一些手机制造厂商在发布旗舰手机时通常会强调该机采用的是一颗背照式摄像头或者是堆栈式摄像头，而那么背照式CMOS传感器正是提升智能手机拍摄实力的最大“功臣”。那么背照式摄像头什么意思呢?接下来就让我们一起来了解下吧。

背照式摄像头什么意思

在传统摄像头感光元件中，感光二极管位于电路晶体管后方，进光量会因遮挡受到影响。所谓背照式摄像头就是将它掉转方向，让光线首先进入感光二极管，从而增大感光量，显著提高低光照条件下的拍摄效果。

背照式摄像头将光电二极管“放置”在了影像传感器芯片的最上层，把A/D转换器及放大电路挪到了影像传感器芯片的“背面”，而不是像传统CMOS传感器一样，A/D转换器和放大电路位于光电二极管的上层，“挡住了”一部分光线。这样一来，通过微透镜和色彩滤镜进来的光线就可以最大限度地被光电二极管利用。

　 　背照式摄像头主要特点

传统感光芯片上层的线路连接层还会出现光线的反射，影响到达光电二极管的光线强度，从而使传感器的受光量减少。在一般的情况下，传统型摄像头传感器在低光环境下难以拍摄出明亮、清晰、质量好的照片。

相比普通的传感器，背照式传感器则显得更薄，具有更佳的画质和更低的噪点等特性。背照式传感器把感光层与基质的位置互换，直接与透光面接触，减少了中间环节光线的损失，并且在透光面上每个对应的像素表面都改为透镜的`形式，更集中地汇聚了外毁宏界的光线到对应的像素点上，减少了像素之间多余的光线干扰。

背照式摄像头实际应用

在背照式CMOS摄像头普及之前，手机采用的都是传统的CMOS传感器。这些传统的CMOS有个非常明显的短板，当通过摄像头回路的电流发生变桐余培化时，它们容易产生热量，从而造成画面比较容易出现杂点，最终影响相机的成像质量。

随着科技生产力的进步，日本SONY公司于08年中旬正式推出了背照式CMOS传感器，改善了传统CMOS一系列的缺点。背照式CMOS通常也被称为“BSI”，采用了背照式CMOS的相机夜间拍摄实力更为强悍，目前已获得各大智能手机厂商的认可，例如小米手机、苹果iPhone5s、魅族局唯MX3等手机都采用了背照式CMOS摄像头。

整天都说背照式 究竟什么是背照式CMOS

所谓背照式CMOS传感器就是将它掉转方掘敬向，让光线首先进入感渣扒光二极管，从而增大感光量，增大感光量低光照条件下的拍摄效果。索尼的背照式CMOS传感器商品名称为Exmor R，首判梁慎先在DV摄像机中得到应用。

背照式传感器光线通过衬层吗

通过衬层。

背照式传感器光线通过衬层，背照式传感器是将感光层的元件调转方向闹或，让光能从背面直射进去，避免了在传统传感器结构中，光线会受到微透镜和光电二极管之间的电路和晶体管的影响。

传感器，是能感受到被测量的信息，并能将感隐弯凳受到的信息，按一定规律变换成灶旅为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求的检测装置。

关键词：D传感器 堆栈式传感器 CCD传感器 光电二极管 影像传感器 传感器 背照式传感器 尺寸传感器 二极管的