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1、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻,发射极接地,集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作,低电平时关断。
2、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
3、IRF3205 或IRF4905 等场效应管就可以,我弄这做过驱动电机的H桥电路,不错 这就是三脚的,功率较大。当然也还有其他的。
4、你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路,是一种降压型开关电源。下面回答你的问题:单片机的PWM波可以驱动MOS管,但取决于你的MOS管类型,你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。
1、用光耦由于里面只有一个三极管,驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。另外,光耦驱动负载能力有限,大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。
2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件,光电耦合器件广泛运用在电脑终端机,可控硅系统设置,测量仪器、影印机、自动售票、家用电器,比如电风扇、加热器等。
3、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
4、东芝光耦有很多种类,高速光耦有:TLP117: 5 V, 50 Mbps/TLP2066: 3 V, 20 Mbps/TLP2116: 5 V, 20 Mbps (2-in-1)。
1、它是以光为媒介来传输电信号的器件,A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦, 5脚是负电压输入端,通常使用-5V电压。
2、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
3、应该要的,一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高,因为S-D极电容比较大,电流小,一下子充不满,达不到驱动的电压的。
4、用低端电压和PWM驱动高端MOS管。用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。gate电压的峰值限制。输入和输出的电流限制。通过使用合适的电阻,可以达到很低的功耗。PWM信号反相。
5、你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路,是一种降压型开关电源。下面回答你的问题:单片机的PWM波可以驱动MOS管,但取决于你的MOS管类型,你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。
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