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我用的工艺库中找不到NPN管，所以下面的仿真采用了PNP管，并将vcc与gnd互换，但电路结构完全相同。
瞬态仿真结果如下：
电路启动部分
解释：
t
=
0时刻，两个电容都不带电，即
v(nc1)
=
v(nb2)
=
3.1V
v(nc2)
=
v(nb1)
=
2.5V
所以Q1导通，Q2截止。
由于R2两端有电势差，有从nb2向gnd方向的电流，而Q2截止，基极电流很小，所以这个电流只能来自于C2，所以C2内部有从nc1向nb2的位移电流。而nc1电势基本不变，所以nb2电势逐渐下降。
与此同时，C1通过Q1的EB结和Rc2进行充电，使nb1的电势比nc2高一些。
当nb2电势降至比Vcc低0.7V左右时，Q2突然开启，Q2的集电极电流骤增，猛历册nc2的电势升至接近vcc，图中显示是3.1V。由于C1上有一定电荷存储，使nb1比nc2更高（3.9V），Q1管立即截止。
现枝宏在C2开始通过Rc1开始放电（由于nb2电势基本恒定，所以可以无视R2的分流），使nc1电势下降。当nc1
nb2后，开始反向充电。
同时，C1以nc2为恒压源，与R1串联充电，使nb1电势降低，直到nb1
vcc
-
0.7V，电路状态再次转换。烂派
下面是完整的仿真结果，四个节点电压分开画
电路的SPICE
design
file如下
Vib
.lib
"log018.l"
TT_BIP3
*
netlist
Vsrc
vcc
gnd
3.3
Rc1
gnd
nc1
20k
R1
gnd
nb1
20k
Rc2
gnd
nc2
20k
R2
gnd
nb2
40k
C1
nb1
nc2
100n
C2
nb2
nc1
100n
Q1
nc1
nb1
vcc
PNP10_3
IC
=
0,
-3.3
Q2
nc2
nb2
vcc
PNP10_3
IC
=
-3.3,
.tran
20ns
10ms
UIC
.end
希望能有帮助
孪生对管？为了让两个三极管的参数尽可能的一样，所以在制作时就在同一片硅材料上做成两个三极管
第一，两幅图我看着怎么是一样的。第二，如果是画原理图，随便怎么汪橘蔽困州画都行，应该有镜像翻转的。只要管脚不变就伍腊行。
三极管2N5401是PNP小功率三极管,可与2N5550/2N5551 NPN管做互补对称管。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而察斗孙集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
扩展资料：
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子。
在电压刺激下产生自由电子导电，销丛而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条败链引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
参考资料来源：百度百科-三极管
是胡困对管 30w 电流3A ，极性的判断如下：拿到三极管有字面向宏配自己，引脚向上，从裤绝念左面依次，基极、集电极、发射机。D882 B772排列一样。 qq 815965061
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